[发明专利]磁阻式随机存取存储器在审
申请号: | 202010548682.5 | 申请日: | 2020-06-16 |
公开(公告)号: | CN113808637A | 公开(公告)日: | 2021-12-17 |
发明(设计)人: | 李怡慧;曾奕铭;邱久容;朱中良;陈禹钧;冯雅圣;施易安;胡修豪;王裕平 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C11/16 | 分类号: | G11C11/16 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 徐协成 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁阻 随机存取存储器 | ||
1.一种磁阻式随机存取存储器,其包含:
包含多个存储器单元的存储器阵列;
第一运作单元,其包含该多个存储器单元中第一至第N组存储器单元,其中N为大于1的整数;
电压产生器,其包含:
输入端,用来接收电压控制信号;
多个输出端;
分压电路,用来分压该电压控制信号以提供多个控制信号;
多个开关,该多个开关中第一至第N开关用来选择性地将该多个控制信号中第一至第N控制信号分别耦接至该多个输出端中第一至第N输出端;以及
输入/输出电路,耦接至该电压产生器的该多个输出端,用来在接收到该第一至该第N控制信号时分别输出第一至第N切换脉冲信号至该第一运作单元中的该第一至该第M组存储器单元,其中该第一至该第N切换脉冲信号的脉冲宽度或电平彼此相异。
2.如权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器,其中:
该分压电路包含第一至第N电阻,串联在该输入端和接地电位之间;
该第一至该第N控制信号中第n控制信号的值相关于该第一至该第N电阻中第n电阻至该第N电阻上的跨压;且
n为介于1和N之间的整数。
3.如权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器,其中:
该第一至该第N组存储器单元中第(n+1)组存储器单元所包含的存储器单元数量不大于该第一至该第N组存储器单元中第n组存储器单元所包含的存储器单元数量;且
n为介于1和N之间的整数。
4.如权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器,其中:
该第一至该第N切换脉冲信号中第(n+1)切换脉冲信号的电平低于第n切换脉冲信号的电平;且
n为介于1和N之间的整数。
5.如权利要求1和4中任一所述的磁阻式随机存取存储器,其中:
该第一至该第N切换脉冲信号中第(m+1)切换脉冲信号的脉冲宽度小于第m切换脉冲信号的脉冲宽度;且
m为介于1和N之间的整数。
6.如权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器,其还包含:
平行设置的多条位线;以及
平行设置的多条字线,垂直于该多条位线,其中:
该多个存储器单元分别设置在该多条位线和该多条字线的多个交会处;且
该第一运作单元中该第一至该第N组存储器单元皆耦接在该多条位线中相对应位线或该多条字线中相对应字线。
7.如权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器,其还包含:
至少一解码器,用来决定该第一运作单元中该第一至该第N组存储器单元的地址;且
控制电路,用来在接收到相关写入运作的模式信号时提供该电压控制信号,其中该输入/输出电路还用来依据该第一至该第N组存储器单元的地址分别输出该第一至该第N切换脉冲信号至该第一运作单元中的该第一至该第M组存储器单元。
8.如权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器,其还包含:
第二运作单元,其包含该存储器阵列中M组存储器单元,其中M为大于1的整数,其中:
该多个开关中M个开关用来选择性地将该多个控制信号中的M笔控制信号分别耦接至该多个输出端中的M个输出端;而
该输入/输出电路还用来在接收到该M笔控制信号时分别输出M笔切换脉冲信号至该第二运作单元中的该M组存储器单元。
9.如权利要求8所述的磁阻式随机存取存储器,其还包含:
平行设置的多条位线;
平行设置的多条字线,垂直于该多条位线,其中:
该多个存储器单元分别设置在该多条位线和该多条字线的多个交会处,其中:
该第一运作单元中该第一至该第N组存储器单元皆耦接在该多条字线中相对应字线;且
该第二运作单元中该M组存储器单元皆耦接在该多条位线中相对应位线。
10.如权利要求8所述的磁阻式随机存取存储器,其还包含:
至少一解码器,用来决定该第一运作单元中该第一至该第N组存储器单元的地址以及决定该第二运作单元中该M组存储器单元的地址;且
控制电路,用来在接收到相关写入运作的模式信号时提供该电压控制信号,其中该输入/输出电路还用来依据该第一至该第N组存储器单元的地址分别输出该第一至该第N切换脉冲信号至该第一运作单元中的该第一至该第M组存储器单元,或依据该M组存储器单元的地址分别输出该M笔切换脉冲信号至该M组存储器单元。
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