[发明专利]一种变偏移距VSP弯线校正处理方法和装置

权利要求书

1.一种变偏移距VSP弯线校正处理方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤S1.选取变偏移距VSP数据中的零偏移距VSP数据，拾取其初至，用其计算层速度；

步骤S2.利用步骤S1得到层速度，射线追踪计算双程时，并对变偏移距VSP共炮记录做动校正；

步骤S3.假定一条过井口的直线，计算炮点到该直线的投影坐标，将投影坐标定义为炮点的新坐标；

所述步骤S3包括以下子步骤：

S301.给定直炮线方位角θ；

S302.计算炮点S_i(x,y)相对于井口的方位角θ_i：

其中，wx、wy是井口的横坐标、纵坐标，θ_i是第i炮的方位角，S_ix、S_iy是炮点的横坐标、纵坐标；

S303.计算炮点S_i(x,y)到方位角θ的投影坐标

其中，offset_S_i是第i炮的偏移距，wx、wy是井口的横坐标、纵坐标，S_ix、S_iy是炮点的横坐标、纵坐标；

其中，offset_S_i是第i炮的偏移距，wx、wy是井口的横坐标、纵坐标，θ_i是第i炮的方位角，θ是直炮线方位角，是投影坐标；

S304.循环步骤S202～S203，计算所有炮点的投影坐标；

步骤S4.利用步骤S3得到的炮点新坐标、步骤S1得到的层速度，射线追踪计算双程时，并对步骤S2的变偏移距VSP共炮动校正记录做反动校正。

2.根据权利要求1所述的一种变偏移距VSP弯线校正处理方法，其特征在于：所述步骤S1中计算得到的层速度V_p为：

V_p＝{V_p,1,V_p,2,...,V_p,N}；

其中V_p,i为第i层的纵波速度，i＝1,2，…,N,且N为零偏移距VSP数据的总层数，每层对应一个检波器；

计算V_p,i的方式如下：

V_p,i＝(H_i-H_i-1)/(t_p,vi-t_p,vi-1)；

其中，H_i是第i个检波器深度，t_p,i是第i个纵波初至，Offset是零偏移距VSP炮点偏离井口的距离；H_i-1是第i-1个检波器深度，H_i是第i个检波器深度，t_p,vi-1是第i-1个检波器的纵波垂直单程时，t_p,vi是第i个检波器的纵波垂直单程时，V_p,i是第i层的纵波速度。

3.根据权利要求1所述的一种变偏移距VSP弯线校正处理方法，其特征在于：所述步骤S2包括以下子步骤：

S201.读取第i炮的炮点坐标S_i(x,y)；

S202.读取第i炮第j检波点坐标R_j(x,y)；

S203.用步骤S1得到的层速度，射线追踪计算炮点i到检波点j的射线走时t_ray及其对应的双程时t₂；

S204.将t_ray对应的采样点映射到t₂，即实现了第i炮第j检波点的动校正；

S205.循环执行步骤S202～S204，实现第i炮所有检波点的动校正；

S206.循环执行步骤S201～S205，实现所有炮的动校正。