[发明专利]基于T-S型模糊算法的磷酸铁锂电池SOC-OCV校准方法

权利要求书

1.一种基于T-S型模糊算法的磷酸铁锂电池SOC-OCV校准方法，其特征在于，包括：

建立基于T-S型模糊算法的校准规则模型，包括：

确定BMS最大采集误差为E_bms,SOC-OCV曲线误差最大为E_ocv，磷酸铁锂电池SOC计算精度要求为E_soc；

根据当前采集到的温度、电压和电芯不同温度下SOC-OCV曲线计算出对应的SOC_cur；根据当前采集到的温度、当前电压、BMS最大采集误差E_bms、SOC-OCV曲线误差和电芯不同温度下SOC-OCV曲线计算出对应的SOC_pcur；根据当前采集到的温度、当前电压、BMS最大采集误差E_bms、SOC-OCV曲线误差和电芯不同温度下SOC-OCV曲线的计算出对应的SOC_ncur；以及通过安时积分得到的校准前SOC为SOC_AH；

根据该规则模型中的SOC_cur与SOC_ncur、SOC_pcur之间的关联性以及预设的约束条件自动筛选出非平台期实现校准，并输出基于不同约束条件下校准后的SOC_out值，包括：

将计算得到的SOC_cur作为校准值，若所述SOC_cur与当前电压对应SOC区间边界值之间的差异满足E_soc精度要求时，则将SOC_out直接进行校准为SOC_cur；

若当前校准之后SOC_cur与当前电压对应SOC区间边界值之间的差异无法满足E_soc精度要求时，判断所述SOC_AH与所述SOC_pcur、所述SOC_cur、所述SOC_ncur的大小关系按照如下约束进行校准：

若所述SOC_AH大于所述SOC_pcur时，则SOC_out最大允许校准到SOC_pcur；

若所述SOC_AH小于所述SOC_ncur时，则SOC_out最大允许校准到SOC_ncur；

若所述SOC_AH在[SOC_ncur,SOC_pcur]区间内时，此时SOC_out不进行校准，则SOC_out为SOC_AH；

其中，所述当前电压对应的SOC为[SOC_ncur，SOC_pcur]区间内任意值；

根据所述SOC_cur、SOC_pcur、SOC_ncur以及SOC_AH形成基于SOC-OCV曲线的校准规则模型。

2.根据权利要求1所述的校准方法，其特征在于，所述建立基于T-S型模糊算法的校准规则模型之前，还包括，检测以获取铁锂电池不同温度下的SOC-OCV曲线。

3.根据权利要求1所述的校准方法，其特征在于，所述进行校准之后的SOC能满足精度要求时直接进行校准，具体包括：

所述当前电压为3310mv，所述SOC_pcur为3310mv+error电压对应的SOC值，SOC_ncur为3310mv-error电压对应的SOC值，SOC_cur为3310mv对应的SOC值，error为最大采集误差为E_bms与SOC-OCV曲线最大误差E_ocv之和，SOC_AH为任意值，此时，校准后的输出值SOC_out＝SOC_cur。

4.根据权利要求1所述的校准方法，其特征在于，所述的若所述SOC_AH大于所述SOC_pcur时，则SOC_out最大允许校准到SOC_pcur，具体包括：

所述当前电压为3290mv，所述SOC_pcur为3290mv+error电压对应的SOC值，SOC_ncur为3290mv-error电压对应的SOC值，SOC_cur为3290mv对应的SOC值，error为最大采集误差为E_bms与SOC-OCV曲线最大误差E_ocv之和，SOC_AH为80％，此时，校准后的输出值SOC_out＝SOC_pcur。

5.根据权利要求1所述的校准方法，其特征在于，所述的若所述SOC_AH小于所述SOC_pcur时，则SOC_out最大允许校准到SOC_ncur，包括：SOC_pcur为3290mv+error电压对应的SOC值，SOC_ncur为3290mv-error电压对应的SOC值，SOC_cur为3290mv对应的SOC值，error为最大采集误差为E_bms与SOC-OCV曲线最大误差E_ocv之和，SOC_AH为20％，此时，校准后的输出值SOC_out＝SOC_ncur。