[发明专利]非接触式加热的倒装焊工艺方法有效
申请号: | 202010549393.7 | 申请日: | 2020-06-16 |
公开(公告)号: | CN111653494B | 公开(公告)日: | 2021-10-15 |
发明(设计)人: | 李金龙;熊化兵;李双江;张文烽;王旭光;江凯 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/488 |
代理公司: | 重庆乐泰知识产权代理事务所(普通合伙) 50221 | 代理人: | 袁泉 |
地址: | 400060 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接触 加热 倒装 焊工 方法 | ||
1.非接触式加热的倒装焊工艺方法,其特征在于,具体包括以下步骤:
S1:提供一具有保护装置、预热台和吸头的倒装焊设备,准备一具有焊料球凸点的待倒装焊接的芯片和一具有焊盘的管壳,其中所述保护装置为上端开口的半封闭式结构,所述预热台设置于保护装置内,用于承载管壳及对管壳进行预加热,所述吸头对应设置于预热台的上方,用于吸附及加热待倒装焊接的芯片;
S2:通过吸头将芯片吸附,并将管壳装载在预热台上,以使芯片具有焊料球凸点的一面与与管壳相对;
S3:在完成管壳与芯片的识别定位后,通过吸头使得芯片移动至管壳上方的对应焊接位置;
S4:通过吸头携带芯片下压管壳,当焊料球凸点与焊盘之间的压力达到预设接触力时,吸头停止移动;
S5:吸头离开芯片并相对于芯片向上抬升5μm~15μm;
S6:启动吸头加热,利用热对流和热辐射对芯片进行加热,使吸头表面升至预设温度后保持预设时间,以熔化焊料球;
S7:吸头停止加热并上抬复位,完成倒装焊接。
2.根据权利要求1所述的非接触式加热的倒装焊工艺方法,其特征在于:所述吸头为具备真空加载和释放以及加热功能的高导热氮化铝陶瓷吸头,且所述吸头表面的温度控制范围为200℃~450℃。
3.根据权利要求1所述的非接触式加热的倒装焊工艺方法,其特征在于:所述预热台的温度控制范围为200℃~300℃,且所述温度均匀性为±3℃。
4.根据权利要求1所述的非接触式加热的倒装焊工艺方法,其特征在于:所述保护装置的侧板上靠近底部的位置处设置有至少一通孔,用于接入氮气,且所述氮气的流量大于等于30L/min。
5.根据权利要求1所述的非接触式加热的倒装焊工艺方法,其特征在于:所述预设接触力的大小为2±0.5N。
6.根据权利要求1所述的非接触式加热的倒装焊工艺方法,其特征在于:在焊接过程中所述芯片与管壳具有自对准效应。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造