[发明专利]一种薄膜体声波谐振器及其制造方法在审
申请号: | 202010549449.9 | 申请日: | 2020-06-16 |
公开(公告)号: | CN112039467A | 公开(公告)日: | 2020-12-04 |
发明(设计)人: | 黄河 | 申请(专利权)人: | 中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司 |
主分类号: | H03H3/02 | 分类号: | H03H3/02;H03H3/04;H01L41/047;H01L41/27 |
代理公司: | 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 | 代理人: | 张立君 |
地址: | 201210 上海市浦东新区中国(上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 薄膜 声波 谐振器 及其 制造 方法 | ||
1.一种薄膜体声波谐振器,其特征在于,包括:
第一衬底,所述第一衬底中设有第一空腔;
压电叠层结构,遮盖所述第一空腔,所述压电叠层包括从下至上依次设置在所述第一衬底上的第一电极、压电层和第二电极,谐振器的有效谐振区包括所述第一电极、压电层和第二电极在垂直于所述压电层表面方向上相互重叠区域;
所述第一电极连续延伸,包括位于有效谐振区的第一电极谐振部和延伸至第一空腔外的第一电极引出部;所述第一电极引出部与所述第一电极谐振部的连接处远离压电层凸起形成第一空隙;所述第一电极谐振部位于所述第一空腔的边界内;
所述第二电极连续延伸,包括位于有效谐振区的第二电极谐振部和延伸至第一空腔外的第二电极引出部,所述第二电极引出部与所述第二电极谐振部的连接处远离压电层凸起形成第二空隙;所述第二电极谐振部位于所述第一空腔的边界内。
2.根据权利要求1所述的一种薄膜体声波谐振器,其特征在于,所述压电层的上表面和下表面均为平面,遮盖所述第一空腔并延伸至第一空腔外。
3.根据权利要求1所述的一种薄膜体声波谐振器,其特征在于,所述第一电极引出部、所述第二电极引出部在所述压电层表面的投影相互错开。
4.根据权利要求1所述的一种薄膜体声波谐振器,其特征在于,所述第一空隙、所述第二空隙在所述压电层上的投影围成封闭的环形或具有间隙的环形。
5.根据权利要求1所述的一种薄膜体声波谐振器,其特征在于,所述第一电极引出部包括围成所述第一间隙的第一架空部、延伸至无效谐振区作为第一信号连接端的第一搭接部;
所述第一搭接部环绕于所述第一电极谐振部的外周,或所述第一搭接部设置于所述第一电极谐振部的部分外周;
所述第一架空部环绕于所述第一电极谐振部的外周,或所述第一架空部设置于所述第一电极谐振部的部分外周。
6.根据权利要求1所述的一种薄膜体声波谐振器,其特征在于,所述第二电极引出部包括围成所述第二间隙的第二架空部、延伸至无效谐振区作为第二信号连接端的第二搭接部。
所述第二延伸部环绕于所述第二电极谐振部的外周,或所述第二搭接部设置于所述第二电极谐振部的部分外周;
所述第二架空部环绕于所述第二电极谐振部的外周,或所述第二架空部设置于所述第二电极谐振部的部分外周。
7.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器,其特征在于,还包括第一凸起和/或第二凸起;
所述第一凸起位于所述第一电极表面并沿所述第一电极谐振部的边缘分布,所述第一凸起为连续的整体或包括间断设置的多个第一子凸起,所述第一凸起与所述第一空隙在所述压电层表面的投影围成封闭的或带有间隙的环形;
所述第二凸起位于所述第二电极表面并沿所述第二电极谐振部的边缘分布,所述第二凸起为连续的整体或包括间断设置的多个第二子凸起,所述第二凸起与所述第二空隙在所述压电层表面的投影围成封闭的或带有间隙的环形。
8.根据权利要求7所述的薄膜体声波谐振器,其特征在于,所述第一凸起和所述第二凸起的材料包括介质材料;或者,所述第一凸起的材料与所述第一电极的材料相同;和/或,所述第二凸起的材料与所述第二电极的材料相同。
9.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器,其特征在于,还包括第一介质层和第二介质层;
所述第一介质层位于无效谐振区的压电层上,所述第一介质层与所述第一电极谐振部相互隔开,所述第一介质层和所述第一电极引出部连续相接;
所述第二介质层位于无效谐振区的压电层上,所述第二介质层与所述第二电极谐振部相互隔开,所述第二介质层和所述第二电极引出部连续相接。
10.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器,其特征在于,所述有效谐振区的边缘区域还设有贯穿所述压电层并连通所述第一空腔的空气边隙,所述空气边隙在所述压电层的投影与所述第一架空部和所述第二架空部在所述压电层的投影相互错开,并围成连续或间断的环形。
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