[发明专利]薄膜体声波谐振器及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括：

第一衬底，所述第一衬底中设置有第一空腔；

压电叠层结构，位于所述第一衬底上，所述压电叠层结构从下至上包括第一电极、压电层和第二电极，所述第一电极和所述第二电极的边缘均位于所述第一空腔边界内，所述第一电极、压电层和第二电极在垂直于所述压电层表面方向上相互重叠的区域为有效谐振区；

第一介质层，位于所述第一衬底和所述压电层之间，且所述第一介质层包围所述第一电极并围成封闭环形；

第一电极引出结构，连接所述第一电极的边缘延伸至无效谐振区作为第一信号连接端，在所述有效谐振区的边缘与所述压电叠层结构围成第一空隙；

第二电极引出结构，连接所述第二电极的边缘延伸至无效谐振区作为第二信号连接端，在所述有效谐振区的边缘与所述压电叠层结构围成第二空隙。

2.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第一介质层与所述第一电极的外周相接或者具有间隙，且所述第一介质层和所述第一电极面向所述压电层的表面齐平。

3.根据权利要求1所述的一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述压电层的上表面和下表面均为平面，遮盖所述第一空腔且延伸至第一空腔外。

4.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第一电极引出结构、所述第二电极引出结构在压电层表面的投影相互错开。

5.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，所述第一空隙、所述第二空隙在所述压电层上的投影围成封闭的环形或具有间隙的环形。

6.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第一电极引出结构包括：围成所述第一空隙的第一架空部、连接所述第一架空部并延伸至所述无效谐振区的第一搭接部，所述第一搭接部作为所述第一信号连接端；

和/或，所述第二电极引出结构包括：围成所述第二空隙的第二架空部、连接所述第二架空部并延伸至所述无效谐振区的第二搭接部，所述第二搭接部作为所述第二信号连接端。

7.根据权利要求6所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，

所述第一搭接部环绕于所述第一电极的外周，或所述第一搭接部设置于所述第一电极的部分外周；

所述第一架空部环绕于所述第一电极的外周，或所述第一架空部设置于所述第一电极的部分外周；

所述第二搭接部环绕于所述第二电极的外周，或所述第二搭接部设置于所述第二电极的部分外周；

所述第二架空部环绕于所述第二电极的外周，或所述第二架空部设置于所述第二电极的部分外周。

8.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第一电极引出结构或所述第二电极引出结构的材料为金属材料，所述金属材料包括金、银、钨、铂、铝、铜中的一种或多种。

9.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，还包括第一凸起和/或第二凸起，所述第一凸起位于所述第一电极表面并沿所述有效谐振区的边缘分布，所述第一凸起与所述第一空隙在所述压电层表面的投影围成封闭或带有间隙的环形；

所述第二凸起位于所述第二电极表面并沿所述有效谐振区的边缘分布，所述第二凸起与所述第二空隙在所述压电层表面的投影围成封闭或带有间隙的环形。

10.根据权利要求9所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，所述第一凸起和所述第二凸起的材料包括介质材料；或者，

所述第一凸起的材料与所述第一电极的材料相同；和/或，所述第二凸起的材料与所述第二电极的材料相同。

11.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，还包括第二介质层，所述第二介质层位于所述无效谐振区的所述压电层上，并与所述第二电极相互隔开，所述第二介质层和第二电极引出结构连续相接，所述第二介质层与所述第二引出结构包围所述第二电极。