[发明专利]薄膜体声波谐振器的制造方法在审

专利信息
申请号: 202010549483.6 申请日: 2020-06-16
公开(公告)号: CN112039470A 公开(公告)日: 2020-12-04
发明(设计)人: 黄河 申请(专利权)人: 中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司
主分类号: H03H3/02 分类号: H03H3/02;H01L41/047;H01L41/08;H01L41/27
代理公司: 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 代理人: 张立君
地址: 201210 上海市浦东新区中国(上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 薄膜 声波 谐振器 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种薄膜体声波谐振器的制造方法,其特征在于,包括:

提供临时衬底;

在所述临时衬底上依次形成第二电极层、压电层和第一电极,所述第一电极位于有效谐振区;

形成第一电极引出结构,所述第一电极引出结构连接所述第一电极的边缘延伸至无效区作为第一信号连接端,在所述有效谐振区的边缘与压电层和第一电极围成第一空隙;

在所述压电层上形成包括第一空腔的第一衬底,所述第一衬底覆盖部分所述第一电极引出结构,所述第一电极位于所述第一空腔围成区域的边界以内;

去除所述临时衬底;

图形化所述第二电极层,形成第二电极;所述有效谐振区包括所述第一电极、压电层和第二电极在垂直于所述压电层表面方向上相互重叠的区域;

形成第二电极引出结构,所述第二电极引出结构连接所述第二电极的边缘延伸至无效区作为第二信号连接端,在所述有效谐振区的边缘与所述压电层和第二电极围成第二空隙。

2.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器的制造方法,其特征在于,所述第一电极引出结构、所述第二电极引出结构在压电层表面的投影相互错开。

3.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器的制造方法,其特征在于,所述第一空隙、所述第二空隙在所述压电层上的投影围成封闭的环形或具有间隙的环形。

4.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器的制造方法,其特征在于,

所述第一电极引出结构包括围成所述第一空隙的第一架空部和延伸至无效区的第一搭接部,所述第一搭接部作为所述第一信号连接端,所述第一架空部和所述第一搭接部电连接;所述第一搭接部环绕于所述第一电极的外周,所述第一架空部环绕于所述第一电极的外周;

和/或,

所述第二电极引出结构包括围成所述第二空隙的第二架空部和延伸至无效区的第二搭接部,所述第二搭接部与第二外部信号端电连接,所述第二架空部和所述第二搭接部电连接;所述第二搭接部环绕于所述第二电极的外周;所述第二架空部环绕于所述第二电极的外周。

5.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器的制造方法,其特征在于,所述压电层为完整膜层;或者,在形成所述第二电极引出结构之后,还包括:

刻蚀所述有效谐振区边缘的所述压电层,形成贯穿所述压电层并连通于所述第一空腔的空气边隙。

6.根据权利要求5所述的薄膜体声波谐振器的制造方法,其特征在于,所述空气边隙、所述第一空隙和所述第二空隙在所述压电层的投影相互错开,并围成封闭的环形或具有间隙的环形。

7.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器的制造方法,其特征在于,所述第一电极引出结构或所述第二电极引出结构的材料为金属材料,所述金属材料包括金、银、钨、铂、铝、铜中的一种或多种。

8.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器的制造方法,其特征在于,形成第一电极引出结构的方法包括:

在所述第一电极的边缘形成第一牺牲凸起;

形成第一导电层,覆盖所述压电层和所述第一牺牲凸起;

图形化所述第一导电层,形成所述第一电极引出结构;

去除所述第一牺牲凸起,形成所述第一空隙。

9.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器的制造方法,其特征在于,形成第二电极引出结构的方法包括:

在所述第二电极的边缘形成第二牺牲凸起;

形成第二导电层,覆盖所述压电层和所述第二牺牲凸起;

图形化所述第二导电层,形成所述第二电极引出结构;

去除所述第二牺牲凸起,形成第二空隙。

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