[发明专利]一种能调控碘化铅钝化层生长的钙钛矿太阳能电池及制备方法在审
申请号: | 202010549650.7 | 申请日: | 2020-06-16 |
公开(公告)号: | CN111640872A | 公开(公告)日: | 2020-09-08 |
发明(设计)人: | 马柱;黄德军;肖政;晏广元;蒋汇丰;黄跃龙 | 申请(专利权)人: | 西南石油大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48 |
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地址: | 610500 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 调控 碘化 钝化 生长 钙钛矿 太阳能电池 制备 方法 | ||
1.一种能调控碘化铅钝化层生长的钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述能调控碘化铅钝化层生长的钙钛矿太阳能电池及制备方法包括:
S1:对透明导电基板(1)的表面进行清洗,清洗后用干燥氮气吹干;
S2:在透明导电基板(1)的表面旋涂电子传输层(2);
S3:将带有电子传输层(2)的透明导电基板(1)紫外臭氧处理;
S4:在氮气环境下,制备碘化铅胶体,再向碘化铅胶体中加入配体,并搅拌;
S5:在氮气环境下,在电子传输层(2)上旋涂S4中制备的试剂,并进行退火结晶处理,使电子传输层(2)上形成碘化铅薄膜;
S5:在氮气环境下,在碘化铅薄膜上旋涂卤化物阳离子,并进行退火结晶处理,生成钙钛矿薄膜,即钙钛矿吸光层(4);
S6:在氮气环境下,在钙钛矿吸光层(4)上旋涂Spiro-OMeTAD溶液,并进行退火结晶处理,制备空穴传输层;
S7:通过热蒸镀法,在复合空穴传输层上形成银电极;
S8:在氮气氛围和AM1.5光照下,测试太阳能电池的光电特性。
2.如权利要求1所述的一种能调控碘化铅钝化层生长的钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述碘化铅胶体中碘化铅晶体中(101)晶面所占比例为70%~90%。
3.如权利要求1所述的一种能调控碘化铅钝化层生长的钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述碘化铅胶体的溶剂包括二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、乙腈、乙酸、丙酮、硝基甲烷、苯胺、甲醇和乙二醇。
4.如权利要求1所述的一种能调控碘化铅钝化层生长的钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述配体包括CTAB、CTAC、OTAB、DTAB、CDAB、PEAI、BAI、1,8-碘化二铵-辛烷、1,4-碘化二铵-丁烷、3-(癸基二甲基铵基)-丙烷磺酸盐、氯化胆碱、DMSO、ACN、NH4SCN、PMMA。
5.如权利要求1所述的一种能调控碘化铅钝化层生长的钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述碘化铅胶体为在1mL的溶剂中添加0.001g~15g碘化铅晶体。
6.如权利要求1所述的一种能调控碘化铅钝化层生长的钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,采用两步旋涂法制备高质量钙钛矿薄膜时,第一步旋涂碘化铅胶体时匀胶机的转速为1500转/分~4000转/分,在70℃~150℃温度下退火结晶处理10~1000秒;第二步旋涂卤化物阳离子时匀胶机的转速为2000转/分~4000转/分,在70℃~150℃温度下退火结晶处理10min~60min。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择