[发明专利]一种基于含氯化合物调节钙钛矿晶体取向提升钙钛矿光电器件性能的方法

权利要求书

1.一种基于含氯化合物调节钙钛矿晶体取向提升钙钛矿光电器件性能的方法，其特征在于：向钙钛矿材料中掺杂含氯化合物，制得卤化物钙钛矿薄膜，所述含氯化合物为2,3-DAPAC。

2.根据权利要求1所述的基于含氯化合物调节钙钛矿晶体取向提升钙钛矿光电器件性能的方法，其特征在于：包括如下步骤：

（1）将含氯化合物、金属源化合物和有机/无机源卤化物混合，溶于有机溶剂中，配制成前驱体溶液；

（2）将上述前驱体溶液旋涂在ITO/空穴传输层/玻璃基片上，旋涂过程中滴加反溶剂，热退火后得到卤化物钙钛矿薄膜。

3.根据权利要求2所述的基于含氯化合物调节钙钛矿晶体取向提升钙钛矿光电器件性能的方法，其特征在于：所述步骤（1）中金属源化合物为铅基源化合物或锡基源化合物；所述有机/无机源卤化物为甲脒碘或甲胺碘。

4.根据权利要求2所述的基于含氯化合物调节钙钛矿晶体取向提升钙钛矿光电器件性能的方法，其特征在于：所述步骤（1）中有机溶剂为DMF或DMSO中的一种或两种的混合液。

5.根据权利要求2所述的基于含氯化合物调节钙钛矿晶体取向提升钙钛矿光电器件性能的方法，其特征在于：所述步骤（2）中的卤化物钙钛矿薄膜应用于钙钛矿光电器件。

6.根据权利要求5所述的基于含氯化合物调节钙钛矿晶体取向提升钙钛矿光电器件性能的方法，其特征在于：所述于钙钛矿光电器件包括ITO电极、空穴传输层、含氯化合物掺杂的钙钛矿薄膜、电子传输层、空穴阻挡层和金属电极。