[发明专利]用于功率电子部件的结合配对件的材料结合的装置在审
申请号: | 202010552324.1 | 申请日: | 2020-06-17 |
公开(公告)号: | CN112133644A | 公开(公告)日: | 2020-12-25 |
发明(设计)人: | S·席尔默 | 申请(专利权)人: | 赛米控电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 重庆西联律师事务所 50250 | 代理人: | 唐超尘;王枞 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 功率 电子 部件 结合 配对 材料 装置 | ||
1.装置(1),该装置(1)具有压模(2)并且具有弹性的衬垫元件(3),用于第一结合配对件(5)到第二结合配对件(6)的压力烧结的材料结合,其特征在于,
弹性的衬垫元件(3)由几何稳定的框架(4)围绕,在框架(4)内以线性移动的方式引导衬垫元件(3)和压模(2)的安装元件(20),以至于使得几何稳定的框架(4)降低到第一结合配对件(5)上或者降低到其上布置有第一结合配对件(5)的工件载架(7)上,并且在框架支承在第一结合配对件(5)或者工件载架(7)上之后,将压模(2)与弹性的衬垫元件(3)一起降低到第二结合配对件(6)上,并且弹性的衬垫元件(3)施加将第一结合配对件(5)接合到第二结合配对件(6)的所需压力,并且其中弹性的衬垫元件(3)包括弹性的封壳(30,32)和由封壳(30,32)包封的液体或凝胶状的介质(34)。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,第一结合配对件(5)到第二结合配对件(6)是功率电子器件中的部件的结合配对件。
3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,
衬垫元件(3)的封壳(30,32)由硅橡胶组成。
4.根据权利要求3所述的装置,其特征在于,衬垫元件(3)的封壳(30,32)具有在25和100之间的肖氏A硬度,以及在从0.5mm到5mm的范围内的厚度。
5.根据权利要求4所述的装置,其特征在于,衬垫元件(3)的封壳(30,32)具有在50和75之间的肖氏A硬度。
6.根据权利要求3所述的装置,其特征在于,
所述硅橡胶通过金属添加剂来稳定,并且因此能够在高于175℃的温度下以及在10到40MPa之间的压力下使用。
7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述硅橡胶能够在高于210℃的温度下使用。
8.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述硅橡胶通过铁或铁化合物来稳定。
9.根据权利要求8所述的装置,其特征在于,所述硅橡胶通过铁氧化物来稳定。
10.根据权利要求1-9中任一项所述的装置,其特征在于,
将封壳(30)设置为填充有介质(34)的囊,或者其中封壳(32)以形状配合、力配合或材料地在周向区域中与压模(2)连接,并且介质(34)布置在因此形成的体积区域中。
11.根据权利要求1-9中任一项所述的装置,其特征在于,
介质(34)的沸点高于200℃。
12.根据权利要求11所述的装置,其特征在于,
介质(34)的沸点高于250℃。
13.根据权利要求1-9中任一项所述的装置,其特征在于,
介质(34)选自于以下的组:
·硅酮液体;或
·硅油脂(340);或
·油(342);或
·金属,其在正常条件下为液态;或
·熔融盐;或
·相变材料。
14.根据权利要求13所述的装置,其特征在于,
所述金属是镓、铟和锡的合金。
15.根据权利要求13所述的装置,其特征在于,
所述熔融盐是硫代硫酸钠。
16.根据权利要求13所述的装置,其特征在于,
相变材料从固态变为液态的相变温度在50℃至250℃之间的范围内。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于赛米控电子股份有限公司,未经赛米控电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010552324.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造