[发明专利]一种应用于绝缘栅双极型晶体管IGBT的驱动电路在审
申请号: | 202010552722.3 | 申请日: | 2020-06-17 |
公开(公告)号: | CN111697957A | 公开(公告)日: | 2020-09-22 |
发明(设计)人: | 施源;陈颖 | 申请(专利权)人: | 上海电气集团股份有限公司 |
主分类号: | H03K17/567 | 分类号: | H03K17/567 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭晓丽 |
地址: | 200336 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 应用于 绝缘 栅双极型 晶体管 igbt 驱动 电路 | ||
1.一种应用于绝缘栅双极型晶体管IGBT的驱动电路,其特征在于,所述驱动电路包括脉冲源电路、第一功率放大电路及第二功率放大电路,其中:
所述脉冲源电路,用于分别向所述第一功率放大电路和所述第二功率放大电路提供脉冲电压;
所述第一功率放大电路,用于将所述脉冲电压放大第一倍数后输入到IGBT的栅极;
所述第二功率放大电路,用于在IGBT的集电极电流处于第一阶段和第三阶段时,对所述脉冲电压放大第二倍数后输入到IGBT的栅极,所述第一阶段为所述集电极电流为零的IGBT开通阶段,所述第三阶段为所述集电极电流为恒定非零电压的IGBT导通阶段。
2.根据权利要求1所述的驱动电路,其特征在于,所述第二功率放大电路包括:发射极杂散电感电压检测电路、辅助充电信号处理电路及辅助功率放大电路,其中:
所述发射极杂散电感电压检测电路,用于将所述集电极电流与IGBT的杂散电感LS等效的电压放大,将放大后的电压输入到辅助充电信号处理电路;
所述辅助充电信号处理电路,用于将所述放大后的电压逻辑非运算后,与所述脉冲电压进行逻辑与运算,并将得到的电压输入到所述辅助功率放大电路;
所述辅助功率放大电路,用于将所述脉冲电压进行第二倍数放大,并输入到所述IGBT的栅极。
3.根据权利要求2所述的驱动电路,其特征在于,所述辅助充电信号处理电路,包括:
逻辑非门,用于将未超过逻辑非门阈值电压的输入电压,输出为脉冲电压,将超过逻辑非门阈值电压的输入电压,输出为零电压;
逻辑与门,用于将所述逻辑非门的输出与所述脉冲电压,经阈值电压转化为逻辑信号并进行与运算,当得到的逻辑信号为1时,向辅助功率放大电路输入脉冲电压。
4.根据权利要求1所述的驱动电路,其特征在于,还包括:
等效电感检测电路,连接IGBT的发射极和集电极,用于检测IGBT中的导体等效的杂散电感LS。
5.根据权利要求2所述的驱动电路,其特征在于,
所述发射极杂散电感电压检测电路对等效的电压的放大倍数,为将所述等效的电压放大到阈值电压对应的倍数。
6.根据权利要求2所述的驱动电路,其特征在于,所述辅助功率放大电路为推挽放大类型的电路。
7.根据权利要求1所述的驱动电路,其特征在于,还包括阻流二极管,其中:
所述阻流二极管输入端连接辅助功率放大电路,输出端连接IGBT的栅极。
8.一种提高IGBT开通速度的方法,其特征在于,所述方法包括:
利用第一功率放大电路将所述脉冲电压放大第一倍数后输入到IGBT的栅极;
利用第二功率放大电路在IGBT的集电极电流处于第一阶段和第三阶段时,将所述脉冲电压放大第二倍数后输入到IGBT的栅极,所述第一阶段为所述集电极电流为零的IGBT开通阶段,所述第三阶段为所述集电极电流为恒定非零电压的IGBT导通阶段。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
利用第二功率放大电路在IGBT的集电极电流处于第二阶段时,将零电压放大第二倍数后输入到IGBT的栅极。
10.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,利用第二功率放大电路在IGBT的集电极电流处于第一阶段和第三阶段时,将所述脉冲电压放大第二倍数后输入到IGBT的栅极,包括:
利用发射极杂散电感电压检测电路将所述集电极电流与IGBT的杂散电感LS等效的电压放大,将放大后的电压输入到辅助充电信号处理电路;
利用所述辅助充电信号处理电路,将所述放大后的电压逻辑非运算后,与所述脉冲电压进行逻辑与运算,并将得到的电压输入到辅助功率放大电路;
利用所述辅助功率放大电路,将所述脉冲电压进行第二倍数放大,并输入到所述IGBT的栅极。
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