[发明专利]光检测器件及电子装置在审
申请号: | 202010552753.9 | 申请日: | 2014-06-20 |
公开(公告)号: | CN111799288A | 公开(公告)日: | 2020-10-20 |
发明(设计)人: | 桝田佳明;宫波勇树;阿部秀司;平野智之;山口征也;蛯子芳树;渡边一史;荻田知治 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/0203;H01L31/0232;H01L31/10;H04N5/225;H04N5/359;H04N5/369;H04N5/374;H04N9/04;G02B1/118 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 李晗;曹正建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检测 器件 电子 装置 | ||
本发明涉及光检测器件以及电子装置。该光检测器件包括:半导体基板,其光接收表面包含第一蛾眼结构和第二蛾眼结构;位于半导体基板中的第一光电转换区域;位于半导体基板中的第二光电转换区域,其邻近所述第一光电转换区域;沟槽,其布置在第一和第二光电转换区域之间;第一滤色器,其布置在第一蛾眼结构上方;和第二滤色器,其布置在第二蛾眼结构上方,其中,第一光电转换区域构造为接收穿过第一滤色器和第一蛾眼结构的第一光,且第二光电转换区域构造为接收穿过第二滤色器和第二蛾眼结构的第二光,其中,第一滤色器的峰值光谱灵敏度不同于第二滤色器,且其中,第一和第二蛾眼结构具有相同形状。本发明能够抑制混色恶化并提高灵敏度。
本申请是申请日为2014年6月20日、发明名称为“固态成像器件、固态成像器件的制造方法及电子装置”的申请号为201480028257.6专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及固态成像器件、固态成像器件的制造方法以及电子装置,并具体地涉及能够在抑制混色恶化的同时提高灵敏度的固态成像器件、固态成像器件的制造方法以及电子装置。
背景技术
在固态成像器件中,已经提出了所谓的蛾眼结构(moth-eye structure)以作为用于防止入射光反射的结构,在蛾眼结构中,在形成有光电二极管的硅层的处于光接收表面侧的界面上设置微细凸凹结构(例如,参见专利文献1和2)。
引用文献列表
专利文献
专利文献1:日本专利申请特开第2010-272612号
专利文献2:日本专利申请特开第2013-33864号
发明内容
本发明要解决的问题
然而,能够通过防止入射光反射来提高灵敏度的蛾眼结构还会引起更大的漫射,使得大量的光泄漏到邻近像素中,并因而使混色恶化。
本发明是考虑到这种情况而提出的,且本发明的目的在于在抑制混色劣化的同时提高灵敏度。
问题的解决方案
根据本发明的第一方面的固态成像器件包括:具有蛾眼结构的防反射部,其设置在处于二维地布置的每个像素的光电转换区域的光接收表面侧的界面上;以及用于以阻挡入射光的像素间遮光部,其设置在所述防反射部的所述界面下方。
根据本发明的第二方面的固态成像器件的制造方法包括:在处于二维地布置的每个像素的光电转换区域的光接收表面侧的界面上形成具有蛾眼结构的防反射部;以及在所述防反射部的所述界面下方形成用于阻挡入射光的像素间遮光部。
在本发明的第二方面中,具有所述蛾眼结构的所述防反射部形成在二维地布置的每个像素的所述光电转换区域的所述光接收表面侧的所述界面上,而用于阻挡入射光的所述像素间遮光部形成在所述防反射部的所述界面下方。
根据本发明的第三方面的电子装置包括如下固态成像器件,述固态成像器件包括具有蛾眼结构的防反射部以及用于阻挡入射光的像素间遮光部,所述防反射部设置在处于二维地布置的每个像素的光电转换区域的光接收表面侧的界面上,且所述像素间遮光部设置在所述防反射部的所述界面下方。
在本发明的第一和第三方面中,具有所述蛾眼结构的所述防反射部设置在二维地布置的每个像素的所述光电转换区域的所述光接收表面侧的所述界面上,而用于阻挡入射光的所述像素间遮光部形成在所述防反射部的所述界面下方。
所述固态成像器件和所述电子装置可以是单独的将要内置到另一装置中的装置或模块。
本发明的效果
根据本发明的第一至第三方面,可在抑制混色劣化的同时提高灵敏度。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的