[发明专利]晶片表面检查方法、晶片表面检查装置及电子元件制造方法在审
申请号: | 202010552960.4 | 申请日: | 2020-06-17 |
公开(公告)号: | CN112103200A | 公开(公告)日: | 2020-12-18 |
发明(设计)人: | 小栗裕之 | 申请(专利权)人: | 住友电工光电子器件创新株式会社 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01N21/55;G01N21/84;G01N21/95 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 韩峰;孙志湧 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 表面 检查 方法 装置 电子元件 制造 | ||
1.一种检查晶片的表面的方法,所述方法包括以下步骤:
用具有三个或更多个不同波长的激光束照射所述晶片的表面;
当用所述激光束照射所述晶片的所述表面时,检测来自所述晶片的所述表面的反射光;以及
基于所述晶片的所述表面关于具有所述三个或更多个不同波长的所述激光束的反射率,确定所述晶片的所述表面上是否存在异物,
其中,
确定是否存在所述异物的所述步骤包括:确定所述异物是金属还是非金属的步骤。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,
确定所述异物是金属还是非金属的所述步骤包括以下步骤:
获得在所述不同波长处的各个反射率,以及
基于在所述不同波长处的所述各个反射率中的两个反射率之间的差,来确定所述异物是金属还是非金属。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其中,
确定所述异物是金属还是非金属的所述步骤包括以下步骤:
获得在所述不同波长的所述各个反射率当中的最大反射率和最小反射率,
获得所述最大反射率和所述最小反射率之间的差、以及所述最大反射率和所述最小反射率之和,以及
当所述差与所述和的比率小于0.15时,确定所述异物为金属,而当所述比率为0.15或更大时,确定所述异物为非金属。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中,
所述激光束的所述三个或更多个不同波长中的每个波长为600nm或更大。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的方法,还包括以下步骤:
用具有五个或更多个不同波长的激光束照射所述晶片的所述表面。
6.一种检查晶片的表面的装置,所述装置包括:
激光源,所述激光源用具有三个或更多个不同波长的激光束照射所述晶片的表面;
检测器,当用所述激光束照射所述晶片的所述表面时,所述检测器检测来自所述晶片的反射光;以及
控制器,所述控制器基于关于具有所述三个或更多个不同波长的所述激光束的反射率,来确定是否存在异物以及所述异物是金属还是非金属。
7.一种电子元件的制造方法,其包括以下步骤:
在晶片的表面上形成金属层;
在所述金属层的表面上形成抗蚀剂图案;
在形成所述抗蚀剂图案的步骤之后,用具有三个或更多个不同波长的激光束照射所述晶片的所述表面,以基于关于具有所述三个或更多个所述激光束的反射率来确定所述晶片的所述表面上是否存在异物;
当存在所述异物时,确定所述异物是金属还是非金属;以及
当不存在所述异物时或当所述异物为金属时,在所述金属层上形成镀层。
8.根据权利要求7所述的制造方法,其中,
所述电子元件是电容器,
所述镀层被包括在所述电容器的下电极中,并且
所述制造方法还包括以下步骤:
在所述镀层上形成介电膜;以及
在所述介电膜上形成上电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造