[发明专利]一种含有钴空位的Co18在审

专利信息
申请号: 202010552962.3 申请日: 2020-06-17
公开(公告)号: CN111514910A 公开(公告)日: 2020-08-11
发明(设计)人: 钟文武;林志萍;申士杰;王宗鹏;刘彦平;宋凯 申请(专利权)人: 台州学院
主分类号: B01J27/057 分类号: B01J27/057;B01J35/00;C25B1/04;C25B11/06
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 318000 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 含有 空位 co base sub 18
【权利要求书】:

1.一种含有钴空位的Co18Ni2Se20化合物制备方法,其特征在于:包括以下步骤:首先将钴粉,镍粉和硒粉按照比例混合压制成锭,将按比例称量好的钾块和压制好的锭子一起放入坩埚中,并将坩埚真空密封在石英管中;随后将石英管放入马弗炉中加热到1050℃,保温2h,以5℃/h的速率降温到700℃,炉冷;接着将冷却下来的石英管放入手套箱中敲碎取出晶体,将晶体放入25ml的特氟龙内胆中,加入2g钴粉,1g硫脲和10ml去离子水,将内胆放入高压釜中,高压釜在烘箱中加热到100℃,保温2天,取出釜中晶体用去离子水清洗掉晶体上的钴粉,即可得到含有钴空位的Co18Ni2Se20晶体;最后,将制备的晶体放入含有乙二胺的水热釜中反应4h,即得到最终产物含有钴空位的Co18Ni2Se20化合物。

2.根据权利要求1所述的方法制备的含有钴空位的Co18Ni2Se20化合物,其特征在于:其空位包含相邻的钴空位。

3.根据权利要求1所述的方法制备的含有钴空位的Co18Ni2Se20化合物在电催化分解水制氢的应用,其特征在于,含有钴空位的Co18Ni2Se20化合物的过电位为185.7mV,塔菲尔斜率为-62mV/dec。

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