[发明专利]一种含有钴空位的Co18 在审
申请号: | 202010552962.3 | 申请日: | 2020-06-17 |
公开(公告)号: | CN111514910A | 公开(公告)日: | 2020-08-11 |
发明(设计)人: | 钟文武;林志萍;申士杰;王宗鹏;刘彦平;宋凯 | 申请(专利权)人: | 台州学院 |
主分类号: | B01J27/057 | 分类号: | B01J27/057;B01J35/00;C25B1/04;C25B11/06 |
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地址: | 318000 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 含有 空位 co base sub 18 | ||
1.一种含有钴空位的Co18Ni2Se20化合物制备方法,其特征在于:包括以下步骤:首先将钴粉,镍粉和硒粉按照比例混合压制成锭,将按比例称量好的钾块和压制好的锭子一起放入坩埚中,并将坩埚真空密封在石英管中;随后将石英管放入马弗炉中加热到1050℃,保温2h,以5℃/h的速率降温到700℃,炉冷;接着将冷却下来的石英管放入手套箱中敲碎取出晶体,将晶体放入25ml的特氟龙内胆中,加入2g钴粉,1g硫脲和10ml去离子水,将内胆放入高压釜中,高压釜在烘箱中加热到100℃,保温2天,取出釜中晶体用去离子水清洗掉晶体上的钴粉,即可得到含有钴空位的Co18Ni2Se20晶体;最后,将制备的晶体放入含有乙二胺的水热釜中反应4h,即得到最终产物含有钴空位的Co18Ni2Se20化合物。
2.根据权利要求1所述的方法制备的含有钴空位的Co18Ni2Se20化合物,其特征在于:其空位包含相邻的钴空位。
3.根据权利要求1所述的方法制备的含有钴空位的Co18Ni2Se20化合物在电催化分解水制氢的应用,其特征在于,含有钴空位的Co18Ni2Se20化合物的过电位为185.7mV,塔菲尔斜率为-62mV/dec。
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