[发明专利]一种CMP后清洗生产线及其清洗工艺

权利要求书

1.一种CMP后清洗生产线，其特征在于：包括

搬运机器人；

设置在所述搬运机器人四周的若干个CMP加工设备和CMP后清洗装置；

位于所述CMP加工设备后端的预清洗机构，用于对CMP加工设备加工出来的wafer进行预清洗，并将预清洗后的多个wafer存放在硅片容置架中；

所述搬运机器人用于将预清洗机构中装载有多个wafer的硅片容置架搬运至CMP后清洗装置中进行清洗；

在所述CPM加工设备和搬运机器人之间还设有暂存清洗槽，用于对预清洗后的装载有wafer的硅片容置架进行暂存。

2.根据权利要求1所述的CMP后清洗生产线，其特征在于：所述搬运机器人的四周还设有空闲放置架。

3.根据权利要求1所述的CMP后清洗生产线，其特征在于：所述CMP加工设备的数量为四台。

4.根据权利要求1所述的CMP后清洗生产线,其特征在于：所述搬运机器人包括多轴机器人，在所述多轴机器人的控制端上设有承载块，所述承载块的前端设有若干个插杆。

5.根据权利要求1所述的CMP后清洗生产线,其特征在于：所述预清洗机构包括依次设置的第一清洗槽和第二清洗槽，在所述第一清洗槽和第二清洗槽内分别浸满了臭氧水和纯水，第一清洗槽内的臭氧水经由超声波进行振动；所述第一清洗槽和所述第二清洗槽内均有可上下升降的硅片容置架；在所述第一清洗槽和第二清洗槽的上方设有转移机械手，用于将第一清洗槽的硅片容置架内的wafer翻转后移至第二清洗槽的硅片容置架内。

6.根据权利要求5所述的CMP后清洗生产线,其特征在于：所述转移机械手包括横移轨道，在所述横移轨道上设有旋转气缸，在所述旋转气缸上设有可转动的承载组件；所述承载组件包括上下依次设置的多个承载板，所述承载板的材质为陶瓷；在所述承载板上设有夹紧组件，用于将承载板上的wafer夹紧。

7.根据权利要求6所述的CMP后清洗生产线,其特征在于：所述夹紧组件包括两个通过驱动机构可相互靠近/松开的夹块，所述夹块的材质为导电PEEK。

8.根据权利要求6所述的CMP后清洗生产线,其特征在于：所述CMP后清洗装置上设有进槽和出槽。

9.根据权利要求5所述的CMP后清洗生产线,其特征在于：所述硅片容置架包括基板，在所述基板上设有两个相对设置的竖板；在两个所述竖板的内侧设有多个依次上下设置的限位组件，限位组件由两个相对设置的限位块构成；所述限位块上设有用于适配wafer的限位槽；在所述两个限位块之间的前端设有限位柱；所述竖板的顶部开有与插杆对应的插孔。

10.一种利用如权利要求1所述的CMP后清洗生产线对wafer进行清洗的清洗工艺，其特征在于：包括如下步骤：

Step1:多台CMP加工设备同步进行wafer的加工,每台CMP加工设备将加工好的 wafer送入到对应第一清洗槽内的硅片容置架中,并浸泡在臭氧水中进行超声波冲洗；

Step2:当任意一台CMP加工设备对应的第一清洗槽内的wafer数量到达四片时，转移机械手将第一清洗槽内的四片wafer整体取出并翻转后送入第二清洗槽内的硅片容置架中，并浸泡在纯水中；

Step3:依次重复上述步骤，直到对应第二清洗槽的硅片容置架中含有二十四片wafer浸泡在纯水中；

Step4:若在CMP后清洗装置的进槽中有空位，则搬运机械手上的插杆插入硅片容置架的插孔内，将载有二十四片wafer的硅片容置架搬运到CMP后清洗生产线的进槽内等待清洗；若在CMP后清洗装置的进槽中没有空位，则搬运机械手将载有二十四片wafer的硅片容置架搬运到暂存清洗槽等待进槽有空位后再搬运至进槽处清洗；

Step5:清洗完成后的wafer放置在出槽处等待取走，此时位于CMP后清洗装置中进槽的空置的硅片容置架由搬运机械手放入到空闲放置架中，等待后续搬运机械手将硅片容置架放入到对应的没有硅片容置架的第二清洗槽内。