[发明专利]显示设备及其制造方法在审
申请号: | 202010553574.7 | 申请日: | 2020-06-17 |
公开(公告)号: | CN112103310A | 公开(公告)日: | 2020-12-18 |
发明(设计)人: | 吴彦锡;金泂植;崔正珉;金相烈;田宇植 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘美华;郭文峰 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 及其 制造 方法 | ||
提供了一种显示设备及其制造方法。所述显示设备包括:基底,包括显示区域以及在显示区域外部的第一非显示区域,在显示区域中布置有薄膜晶体管以及电连接到薄膜晶体管的显示器件;贯通部分,竖直地穿透基底;第二非显示区域,在贯通部分与显示区域之间;以及封装层,在显示器件上并且包括顺序地堆叠的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层。第一无机封装层和第二无机封装层延伸到贯通部分并且在第二非显示区域中彼此直接接触,并且第一无机封装层在第二非显示区域中直接接触其下面的另一无机层。
本申请要求于2019年6月18日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0072418号韩国专利申请的优先权和权益,所述韩国专利申请的全部公开内容通过引用包含于此。
技术领域
一个或更多个实施例的方面涉及一种显示设备及其制造方法。
背景技术
近来,已经从显示设备的正面移除了物理按钮等,并且用于显示图像的显示区域已经扩大。此外,已经介绍了一种显示设备,在该显示设备中,用于扩展显示设备的功能的单独构件(诸如,相机等)放置在显示区域中以增大显示面积。为了将诸如相机的单独构件放置在显示区域中,在显示区域中形成可以定位有单独构件的凹槽或贯通部分。然而,形成在显示区域中的凹槽或贯通部分会成为新的可渗透路径,外部湿气等可以通过该新的可渗透路径渗透到显示区域中。
发明内容
根据一个或更多个实施例的方面,提供了一种显示设备及该显示设备的制造方法,在该显示设备中,防止或基本上防止了外部湿气等通过显示区域中的贯通部分的渗透。
附加方面将在下面的描述中部分地阐述,并且部分地将通过该描述而明显,或者可以通过公开的所呈现的实施例的实践来获知。
根据一个或更多个实施例,一种显示设备包括:基底,包括显示区域以及在显示区域外部的第一非显示区域,在显示区域中布置有多个薄膜晶体管以及电连接到多个薄膜晶体管的多个显示器件;贯通部分,在竖直方向上穿透基底;第二非显示区域,在贯通部分与显示区域之间;以及封装层,在多个显示器件上并且包括顺序地堆叠的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层,其中,第一无机封装层和第二无机封装层延伸到贯通部分,并且在第二非显示区域中彼此直接接触,并且第一无机封装层在第二非显示区域中直接接触在第一无机封装层下面的另一无机层。
第一无机封装层可以在第二非显示区域中直接接触基底的上表面。
基底可以包括顺序地堆叠的第一基体层、第一阻挡层、第二基体层和第二阻挡层,并且第一无机封装层可以在第二非显示区域中直接接触第二阻挡层。
显示设备还可以包括:第一无机绝缘层,在多个薄膜晶体管中的每个的半导体层与栅电极之间;以及第二无机绝缘层,在多个薄膜晶体管中的每个的栅电极与源电极之间以及多个薄膜晶体管中的每个的栅电极与漏电极之间,并且在第二非显示区域中直接接触第一无机封装层的另一无机层可以包括第一无机绝缘层或第二无机绝缘层。
显示设备还可以包括平坦化层,该平坦化层在多个薄膜晶体管与多个显示器件之间,该平坦化层可以延伸到第二非显示区域的部分。
多个显示器件中的每个可以包括在平坦化层上的像素电极、在像素电极上的对电极以及在像素电极与对电极之间的中间层,并且中间层中的至少一些层和对电极可以延伸到平坦化层外部。
在第二非显示区域中,在贯通部分周围的第一内部坝可以布置在平坦化层上,并且有机封装层可以在由第一内部坝分隔的区域外部。
显示设备还可以包括像素限定层,该像素限定层在平坦化层上并且覆盖多个显示器件的像素电极的边缘,并且第一内部坝可以包括与像素限定层相同的材料。
显示设备还可以包括第二内部坝,该第二内部坝在第二非显示区域中并且在与第一内部坝分开的位置处围绕贯通部分,第二内部坝在平坦化层上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的