[发明专利]氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法

权利要求书

1.一种氮化硅膜蚀刻溶液，其特征在于，

包含：

磷酸水溶液；以及

由下述化学式1表示的化合物，

化学式1：

在上述化学式中，

X₁以及X₂分别独立地选自氢、C₁-C₁₀的烷基、C₁-C₁₀的烷基醇基、C₁-C₁₀的烷基胺基、C₃-C₁₀的环烷基以及C₆-C₃₀的芳基，

Y₁以及Y₂分别独立地选自氢、卤素、胺基、烷氧基、羟基、C₁-C₁₀的烷基以及C₆-C₃₀的芳基，

R₁、R₂、R₃以及R₄分别独立地选自氢、卤素、胺基、烷氧基、羟基、硫醇基、砜基、磺酰基以及硫醚基。

2.根据权利要求1所述的氮化硅膜蚀刻溶液，其特征在于，上述R₁、R₂、R₃以及R₄分别独立地选自氢、胺基、羟基以及烷氧基。

3.根据权利要求1所述的氮化硅膜蚀刻溶液，其特征在于，由上述化学式1表示的化合物为由下述化学式2表示的化合物，

化学式2：

在上述化学式2中，

上述R₂以及R₃分别独立地选自氢、胺基、羟基以及烷氧基，

X₁、X₂、Y₁以及Y₂的定义如上述化学式1中所述。

4.根据权利要求1所述的氮化硅膜蚀刻溶液，其特征在于，由上述化学式1表示的化合物为由下述化学式3表示的化合物，

化学式3：

在上述化学式3中，

X₁、X₂、Y₁以及Y₂的定义如上述化学式1中所述。

5.根据权利要求1所述的氮化硅膜蚀刻溶液，其特征在于，上述氮化硅膜蚀刻溶液包含100ppm至500000ppm的由上述化学式1表示的化合物。

6.根据权利要求1所述的氮化硅膜蚀刻溶液，其特征在于，上述氮化硅膜蚀刻溶液还包含选自氟化氢、氟化铵、二氟化铵以及氟化氢铵中的至少一种含氟化合物。

7.根据权利要求1所述的氮化硅膜蚀刻溶液，其特征在于，上述氮化硅膜蚀刻溶液还包含有机类阳离子和氟类阴离子具有离子结合形态的含氟化合物。

8.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括通过使用权利要求1所述的氮化硅膜蚀刻溶液来进行的蚀刻工序。