[发明专利]半导体元件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：

一基底，具有一上表面；

多个第一位元线接触点，接触该基底的该上表面；

多个第一位元线，分别地对应设置在该多个第一位元线接触点上；

多个第二位元线接触点，接触该基底的该上表面；

多个第二位元线，分别地对应设置在该多个第一位元线接触点上；以及

其中该多个第二位元线接触点的顶表面位于一垂直水平面，该垂直水平面是高于该多个第一位元线的顶表面。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该多个第一位元线相互分开且相互平行设置。

3.如权利要求2所述的半导体元件，其中该多个第二位元线设置在相邻两个第一位元线之间。

4.如权利要求3所述的半导体元件，其中该多个第一位元线接触点包含掺杂多晶硅、金属或金属硅化物。

5.如权利要求3所述的半导体元件，其中该多个第二位元线接触点包含铜、镍、钴、铝或钨。

6.如权利要求3所述的半导体元件，其中该多个第二位元线的至少一者包含一下位元线电极层、一上位元线电极层及一遮罩图案，其中该下位元线电极层对应设置在该多个第一位元线接触点的一者上，该上位元线电极层设置在该下位元线电极层，该遮罩图案设置在该上位元线电极层。

7.如权利要求6所述的半导体元件，其中该下位元线电极层包含多晶硅。

8.如权利要求6所述的半导体元件，其中该下位元线电极层包含铜、镍、钴、铝或钨。

9.如权利要求6所述的半导体元件，其中该遮罩图案包含氧化硅或氮化硅。

10.如权利要求6所述的半导体元件，其中该多个第二位元线的底表面位于一垂直水平面，该垂直水平面是高于该多个第一位元线的顶表面。

11.一种半导体元件的制备方法，包括：

提供一基底，该基底具有一上表面；

形成多个第一位元线接触点，该多个第一位元线接触点接触该基底的该上表面；

形成多个第一位元线，该多个第一位元线分别地对应位于该多个第一位元线接触点上；

形成多个第二位元线接触点，该多个第二位元线接触点接触该基底的该上表面；以及

形成多个第二位元线，该多个第二位元线分别地对应位于该多个第一位元线接触点上；

其中该多个第二位元线接触点的顶表面位于一垂直水平面，该垂直水平面是高于该多个第一位元线的顶表面。

12.如权利要求11所述的半导体元件的制备方法，其中该多个第一位元线接触点包含掺杂多晶硅、金属或金属硅化物。

13.如权利要求11所述的半导体元件的制备方法，其中该多个第二位元线的底表面位于一垂直水平面，该垂直水平面是高于该多个第一位元线的顶表面。

14.如权利要求11所述的半导体元件的制备方法，其中该多个第一位元线相互分开且相互平行设置。

15.如权利要求14所述的半导体元件的制备方法，其中该多个第二位元线设置在相邻两个第一位元线之间。

16.如权利要求11所述的半导体元件的制备方法，其中该多个第一位元线接触点包含掺杂多晶硅、金属或金属硅化物。

17.如权利要求11所述的半导体元件的制备方法，其中该多个第二位元线包含铜、镍、钴、铝或钨。

18.如权利要求11所述的半导体元件的制备方法，其中该多个第二位元线接触点包含掺杂多晶硅、金属或金属硅化物。