[发明专利]一种半导体封装方法和封装芯片

权利要求书

1.一种半导体封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1.在金属基板的上表面电镀若干组封装单元，每组封装单元由载片基岛和管脚构成；

S2.在所述载片基岛上粘接对应的晶圆芯片；

S3.对所述晶圆芯片与对应的管脚进行引线焊接；

S4.对所述金属基板的上表面进行塑封，得到第一塑封体；

S5.剥离所述第一塑封体上的金属基板，得到第二塑封体；

S6.在所述第二塑封体的非管脚面贴上薄膜；

S7.以所述封装单元为单位将所述第二塑封体切割成若干个封装成品；

S8.去掉所述薄膜，使所述封装成品分离脱落。

2.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述步骤S1具体包括：在所述金属基板的上表面均匀划分若干个封装区域，在所述封装区域等间距地设置若干组封装单元，每组封装单元由至少一个载片基岛和至少一个管脚构成，在所述金属基板的上表面电镀所述载片基岛和管脚。

3.根据权利要求2所述的半导体封装方法，其特征在于，所述在所述金属基板的上表面电镀所述载片基岛和管脚具体包括：先在所述金属基板的上表面电镀一层隔离层，然后在所述隔离层的表面电镀一层第一阻挡层，再在所述第一阻挡层的表面电镀一层导电层，再在所述导电层的表面电镀一层第二阻挡层，最后在所述第二阻挡层的表面电镀一层防氧化层，形成所述载片基岛或管脚。

4.根据权利要求3所述的半导体封装方法，其特征在于，所述电镀形成的载片基岛或管脚的上部外径大于其下部外径。

5.根据权利要求3所述的半导体封装方法，其特征在于，所述隔离层由与稀硫酸或稀盐酸不易反应的金属材质电镀形成，所述隔离层的厚度不小于0.025um。

6.根据权利要求2所述的半导体封装方法，其特征在于，所述封装区域之间间隔设置，所述步骤S4具体包括：对所述金属基板的上表面的各个封装区域进行塑封，得到第一塑封体。

7.根据权利要求6所述的半导体封装方法，其特征在于，所述步骤S5具体包括：通过化学腐蚀或机械研磨的方式剥离所述第一塑封体上的金属基板，并保留所述载片基岛和管脚的隔离层，得到若干个以所述封装区域为单位的第二塑封体。

8.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述步骤S4和步骤S5之间还包括：对所述第一塑封体进行后固化；所述后固化的温度设置为165-175℃，所述后固化的时间设置为290-310min。

9.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，还包括步骤S9,所述步骤S9包括：对所述封装成品进行等离子清洗。

10.一种封装芯片，其特征在于，包括晶圆芯片，所述晶圆芯片采用如权利要求1-9任一项所述的半导体封装方法封装成型。