[发明专利]一种导电石墨烯/聚二甲基硅氧烷纳米复合材料的制备方法及其应用在审

专利信息
申请号: 202010554361.6 申请日: 2020-06-17
公开(公告)号: CN111849167A 公开(公告)日: 2020-10-30
发明(设计)人: 张小敏 申请(专利权)人: 金陵科技学院
主分类号: C08L83/04 分类号: C08L83/04;C08K3/04;G01B7/16;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 南京泰普专利代理事务所(普通合伙) 32360 代理人: 姜露露
地址: 211100 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 导电 石墨 聚二甲基硅氧烷 纳米 复合材料 制备 方法 及其 应用
【权利要求书】:

1.一种导电石墨烯/聚二甲基硅氧烷纳米复合材料的制备方法,其特征在于,具体包括以下步骤:

步骤101、以聚二甲基硅氧烷为基料,与固化剂按照质量比为(8-12):1混合搅拌18-25分钟,得到二甲基硅氧烷聚合物;

步骤102、在上述聚合物中加入石墨烯填料,并用行星离心式混合机搅拌消泡3-5分钟,得到石墨烯-二甲基硅氧烷聚合物;

步骤103、将所述石墨烯-二甲基硅氧烷聚合物用超声波分散18-25分钟,并于真空干燥箱内消泡形成均匀的流体。

2.根据权利要求1所述的一种导电石墨烯/聚二甲基硅氧烷纳米复合材料的制备方法,其特征在于,所述固化剂为二乙烯三胺、三乙烯四胺、二乙胺基丙胺中的一种或几种。

3.根据权利要求1所述的一种导电石墨烯/聚二甲基硅氧烷纳米复合材料的制备方法,其特征在于,所述石墨烯-二甲基硅氧烷聚合物中石墨烯的浓度为5-40%。

4.一种使用如权利要求1至3中任一项所述的制备方法制备出来的导电石墨烯/聚二甲基硅氧烷纳米复合材料在传感器制作中的应用,其特征在于,所述传感器的制作方法具体包括以下步骤:

步骤401、以聚对苯二甲酸乙二醇酯为下基材;

步骤402、采用旋涂法将聚二甲基硅氧烷旋涂在所述下基材的上表面,在下基材的上表面处构成下基板,固化;

步骤403、在基板上固定模具,将制备得到的流体注入到模具内,于100-120℃下加热15-20分钟后,脱模,下基板上形成了石墨烯-二甲基硅氧烷聚合物夹层,且该夹层的底部嵌入到所述下基板内;

步骤404、用导电胶将铜电极粘合在夹层;

步骤405、以聚对苯二甲酸乙二醇酯为上基材,采用旋涂法将聚二甲基硅氧烷旋涂在所述下基材的下表面,固化;

步骤406、在所述基材的下表面处构成上基板,将上述的夹层连带下基板倒扣在所述上基材上,随后在80-150℃下加热10-25min,构成带有夹层的传感器;所述夹层的与所述上基材向邻近的一面嵌入在所述上基板内。

5.根据权利要求4所述的导电石墨烯/聚二甲基硅氧烷纳米复合材料在传感器制作中的应用,其特征在于,所述石墨烯-二甲基硅氧烷聚合物夹层的结构如下,包括:

横向设置的连接部,所述连接部的竖截面为纺锤形,所述连接部的前后两侧面为封层;

N个支撑板,所述支撑板等距离的并列固定在所述连接部的外侧壁处;所述封层的顶端以及位于连接部上方的支撑板的顶端镶嵌在所述下基板内;N为大于六的整数;

所述封层的底端以及位于连接部下方的支撑板的底端镶嵌在所述上基板内。

6.根据权利要求5所述的导电石墨烯/聚二甲基硅氧烷纳米复合材料在传感器制作中的应用,其特征在于,所述封层的厚度大于所述支撑板的厚度。

7.根据权利要求5所述的导电石墨烯/聚二甲基硅氧烷纳米复合材料在传感器制作中的应用,其特征在于,所述连接部上呈镜像开设有异型通孔,便于散热。

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