[发明专利]一种半导体封装引线框架

说明书

本发明公开了一种半导体封装引线框架，属于半导体封装技术领域，该半导体封装引线框架包括金属基板，所述金属基板的上表面电镀有至少一组封装单元，所述封装单元包括载片基岛以及与所述载片基岛对应的管脚；通过上述设置，相对现有技术，金属基板代替传统引线框架的连筋为载片基岛和管脚提供足够的支撑力，使载片基岛和管脚之间无需依靠连筋支撑，使封装成品的厚度不受连筋的厚度制约，有利于QFN或DFN封装产品做得更薄；另外地，在成品划片中，切割刀只需切割塑封料一种材质来完成划片，有效避免两种材质的结合面分层，封装成品的侧面不会有引线框架外露，减小切割刀的损耗。

技术领域

本发明涉及半导体封装领域，特别涉及一种封装引线框架。

背景技术

以便携式消费类产品为代表的电子市场需求暴涨，体积更小，集成度更高的封装产品已经成为应用的优先选择。DFN和QFN均为扁平无引脚封装，因其内部引脚与焊盘之间的导电路径短，自感系数以及封装体内布线电阻很低，使得其能提供更卓越的电热性能。DFN和QFN封装产品在智能手机、笔记本电脑、各类控制板卡、以及其他各类便携式消费类电子产品中都有广泛需求。

DFN和QFN的封装从底面露出管脚，传统的DFN和QFN封装技术采用蚀刻框架基于贴膜载体的方法，该方法需要在引线框架的背面进行贴膜，以使塑封时底部管脚不被包封，然后经过焊线、塑封、成品划片等工序得到封装成品。但现有的封装引线框架存在以下技术缺陷：由于各个封装单元上的载片基岛或管脚之间依靠引线框架的连筋支撑连接，为保证支撑性，引线框架的薄度受限，同时也制约了封装成品的厚度降低。另外在成品划片时，由于各封装成品之间由于引线框架的连筋存在使得需要切割塑封料与金属两种材质，一容易导致两种材质结合面的分层，二加大了切割刀的损耗，三产品侧面存在引线框架外露，致使产品的气密性不高。

可见，现有技术还有待改进和提高。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足之处，本发明的目的在于提供一种半导体封装引线框架及封装方法，其中，旨在解决现有引线框架制约封装成品的厚度降低和影响成品切割的问题。

为了达到上述目的，本发明采取了以下技术方案：

一种半导体封装引线框架,包括金属基板，所述金属基板的上表面电镀有至少一组封装单元，所述封装单元包括载片基岛以及与所述载片基岛对应的管脚。

所述的半导体封装引线框架，其中，所述金属基板的上表面划分有封装区域，所述封装区域内等间距地电镀有若干所述封装单元。

所述的半导体封装引线框架，其中，所述金属基板的上表面均分有若干封装区域，各个所述封装区域之间留有空隙。

所述的半导体封装引线框架，其中，所述载片基岛和管脚均包括电镀在所述金属基板上的导电层，所述导电层与所述金属基板之间电镀有隔离层。

所述的半导体封装引线框架，其中，所述导电层上电镀有防氧化层。

所述的半导体封装引线框架，其中，所述导电层与所述隔离层之间电镀有第一阻挡层，所述导电层与所述防氧化层之间电镀有第二阻挡层。

所述的半导体封装引线框架，其中，所述载片基岛的上部外径大于其下部的外径，所述管脚的上部外径大于其下部的外径。

所述的半导体封装引线框架，其中，所述隔离层为镀金层，所述隔离层的厚度不小于0.025um。

所述的半导体封装引线框架，其中，所述防氧化层为镀银层。

所述的半导体封装引线框架，其中，所述第一阻挡层和第二阻挡层均为镀镍层。

有益效果：