[发明专利]一种NiV合金靶材及其成型的方法与用途在审
| 申请号： | 202010555535.0 | 申请日： | 2020-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN111549324A | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 姚力军;潘杰;边逸军;王学泽;周敏 | 申请（专利权）人： | 宁波江丰电子材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22C19/03;B21B45/00;B21B37/74;B21B37/56;B21B3/00;C22F1/10 |
| 代理公司： | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人： | 王岩 |
| 地址： | 315400 浙江省宁波市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 niv 合金 及其 成型 方法 用途 | ||
1.一种NiV合金靶材成型的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
(1)将NiV坯料预热至第一温度；
(2)将步骤(1)预热后的NiV坯料在第二温度下保温；
(3)步骤(2)保温后的NiV坯料经轧制，得到NiV合金靶材。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)中所述第一温度为1000～1200℃，优选为1050～1150℃。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，步骤(2)中所述第二温度为1000～1200℃，优选为1050～1150℃；
优选地，所述保温的时间为30～90min，优选为45～75min。
4.根据权利要求1～3任一项所述的方法，其特征在于，步骤(3)中所述轧制为至少两道次轧制，优选至少八道次轧制；
优选地，所述轧制中每道次的变形率≤10％。
5.根据权利要求1～4任一项所述的方法，其特征在于，步骤(3)所述轧制过程中NiV坯料的温度控制在第三温度范围；
优选地，所述第三温度范围为1000～1200℃，优选为1050～1150℃。
6.根据权利要求1～5任一项所述的方法，其特征在于，步骤(3)中所述轧制中NiV坯料的温度小于第三温度范围最小值时，将所述NiV坯料加热至第三温度范围内；
优选地，所述轧制中NiV坯料的温度大于第三温度范围最大值时，将所述NiV坯料冷却至第三温度范围内。
7.根据权利要求1～6任一项所述的方法，其特征在于，所述NiV坯料中Ni的质量百分含量为92wt％～95wt％；
优选地，所述NiV坯料中V的质量百分含量为5wt％～8wt％。
8.根据权利要求1～7任一项所述的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
(1)将NiV坯料预热至1000～1200℃；
(2)将步骤(1)预热后的NiV坯料在1000～1200℃下保温30～90min；
(3)步骤(2)保温后的NiV坯料经至少八道次轧制，所述轧制中每道次的变形率≤10％，得到NiV合金靶材，其中，所述轧制过程中NiV坯料的温度控制在1000～1200℃。
9.一种NiV合金靶材，其特征在于，所述NiV合金靶材由权利要求1～8任一项所述的NiV合金靶材成型的方法制得。
10.根据权利要求9所述的NiV合金靶材在半导体、电子信息、集成电路或显示器中的用途。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波江丰电子材料股份有限公司，未经宁波江丰电子材料股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010555535.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种中药组合物及其制备方法和应用
- 下一篇：颗粒肥料播撒辅助装置及使用方法
- 同类专利
- 专利分类
