[发明专利]欠压保护电路在审
申请号: | 202010555850.3 | 申请日: | 2020-06-17 |
公开(公告)号: | CN111682503A | 公开(公告)日: | 2020-09-18 |
发明(设计)人: | 龚晓寒;盛云 | 申请(专利权)人: | 苏州纳芯微电子股份有限公司 |
主分类号: | H02H3/24 | 分类号: | H02H3/24 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 沈晓敏 |
地址: | 215000 江苏省苏州市工业*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 保护 电路 | ||
1.一种欠压保护电路,其特征在于,所述欠压保护电路包括电源电压、与电源电压相连接的阈值模块及与阈值模块相连接的开关模块;所述阈值模块输出阈值电压,所述开关模块接收阈值电压并输出开关信号,所述开关信号包括断开信号和闭合信号,所述阈值模块接收开关信号以对阈值电压进行调整;
当阈值电压大于电源电压时,开关模块输出断开信号,阈值电压升高;
当阈值电压小于电源电压时,开关模块输出闭合信号,阈值电压降低。
2.根据权利要求1所述的欠压保护电路,其特征在于,所述阈值模块包括第一三极管和第二三极管,所述第一三极管和第二三极管的基极互相连接、发射极均接地,所述第一三极管的基极和集电极相互连接;所述阈值模块还包括第一可调电阻模块和第二可调电阻模块,第一三极管的集电极通过第一可调电阻模块接入电源电压,第二三极管的集电极通过第二可调电阻模块接入电源电压。
3.根据权利要求2所述的欠压保护电路,其特征在于,所述第一可调电阻模块包括串联的第一电阻和第三电阻及并联于第一电阻上的第一开关,所述第二可调电阻模块包括串联的第二电阻和第四电阻及并联于第二电阻上第二开关;所述开关模块输出断开信号时,第一开关和第二开关断开,所述开关模块输出闭合信号时,第一开关和第二开关闭合。
4.根据权利要求3所述的欠压保护电路,其特征在于,所述第一电阻和第二电阻的阻值相等,第三电阻和第四电阻的阻值相等。
5.根据权利要求3所述的欠压保护电路,其特征在于,所述阈值模块还包括第五电阻,所述第二三极管的发射极通过第五电阻接地。
6.根据权利要求5所述的欠压保护电路,其特征在于,所述阈值模块还包括第六电阻和第七电阻,所述第一三极管的基极通过第六电阻接地,所述第二三极管的集电极通过第七电阻接地;所述第六电阻和第七电阻的阻值相等。
7.根据权利要求6所述的欠压保护电路,其特征在于,开关模块输出断开信号时,该阈值电压UVLO+为:
开关模块输出闭合信号时,该阈值电压UVLO-为:
其中,VT指热电压,n为第一三极管和第二三极管面积之间的倍数差。
8.根据权利要求7所述的欠压保护电路,其特征在于,所述第二三极管的面积是第一三极管的n倍,n>1。
9.根据权利要求6所述的欠压保护电路,其特征在于,所述开关模块包括比较器,所述比较器的输出端输出开关信号,负输入端与第一三极管的集电极相连接,正输入端与第二三极管的集电极相连接。
10.根据权利要求6所述的欠压保护电路,其特征在于,所述开关模块包括第三三极管、第八电阻,所述第三三极管的基极接入第二三极管的集电极、发射极接地、集电极通过第八电阻接入电源电压;所述开关模块还包括PMOS管和NMOS管,所述PMOS管的栅极和NMOS管的栅极均接入第三三极管的集电极,PMOS管的源极接电源电压,NMOS管的源极接地,PMOS管和NMOS管的漏极相互连接且输出开关信号。
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