[发明专利]使用增压电容器和负偏置电压的图像传感器在审
申请号: | 202010557071.7 | 申请日: | 2020-06-17 |
公开(公告)号: | CN112310130A | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 李景镐;沈殷燮;尹浈斌;崔性洙;藤田雅人 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 纪雯 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 增压 电容器 偏置 电压 图像传感器 | ||
1.一种图像传感器,包括:
光电二极管,被配置为响应于光来生成电荷;
转移晶体管,响应于传输控制信号来连接所述光电二极管和浮置扩散体;
复位晶体管,连接在所述浮置扩散体和电力节点之间;
增压电容器,连接到所述浮置扩散体,并被配置为响应于增压控制信号来调节所述浮置扩散体的容量;以及
偏置电路,具有第一电流电路和第二电流电路,所述第一电流电路和所述第二电流电路被配置为向输出节点供应不同的偏置电流,其中向所述输出节点输出与所述浮置扩散体中累积的电荷相对应的电压信号,
其中,在所述转移晶体管断开之后,所述增压控制信号从高电平下降到低电平,并且
在将所述第一电流电路的第一偏置电流和所述第二电流电路的第二偏置电流同时提供给所述输出节点的第一时间期间,所述复位晶体管从导通状态切换到断开状态。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,在将所述第二电流电路的第二偏置电流提供给所述输出节点的第二时间期间,所述转移晶体管从导通状态切换到断开状态,并且
所述第二时间与所述第一时间不同。
3.根据权利要求2所述的图像传感器,其中,在将所述第二电流电路的第二偏置电流提供给所述输出节点的第二时间期间,所述增压控制信号从高电平下降到低电平。
4.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,在所述转移晶体管导通之前,所述增压控制信号从低电平增加到高电平。
5.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,在所述转移晶体管导通之后,所述增压控制信号从低电平增加到高电平。
6.根据权利要求1所述的图像传感器,还包括选择晶体管,所述选择晶体管连接在所述输出节点和所述浮置扩散体之间,且被配置为向所述输出节点输出与所述浮置扩散体中累积的电荷相对应的所述电压信号,
其中,在所述选择晶体管维持在断开状态时,提供所述第一电流电路的第一偏置电流。
7.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,在所述复位晶体管断开之后,所述增压控制信号从低电平增加到高电平。
8.根据权利要求7所述的图像传感器,其中,在所述增压控制信号从高电平下降到低电平之后,导通所述复位晶体管。
9.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述图像传感器包括第一半导体芯片和第二半导体芯片,所述第一半导体芯片包括所述输出节点,所述第二半导体芯片通过金属焊盘连接到所述输出节点,
所述第一半导体芯片包括所述光电二极管、所述浮置扩散体、所述转移晶体管、所述复位晶体管和所述增压电容器,并且
所述第二半导体芯片包括所述偏置电路。
10.一种图像传感器,包括:
光电二极管,被配置为响应于光来生成电荷;
转移晶体管,响应于传输控制信号来连接所述光电二极管和浮置扩散体;
复位晶体管,连接在所述浮置扩散体和电力节点之间;以及
增压电容器,连接到所述浮置扩散体,并被配置为响应于增压控制信号来调节所述浮置扩散体的容量,
其中在所述转移晶体管导通之前,所述增压控制信号从低电平增加到高电平,并且在所述转移晶体管断开之后,所述增压控制信号从高电平下降到低电平。
11.根据权利要求10所述的图像传感器,其中,在水平扫描时间的一个周期内,将彼此具有不同的大小的第一偏置电流和第二偏置电流输入到输出节点,并且
所述输出节点输出与所述浮置扩散体中累积的电荷相对应的电压信号。
12.根据权利要求11所述的图像传感器,其中,在将所述第一偏置电流输入到所述输出节点的时间的至少一部分中,将所述第二偏置电流输入到所述输出节点。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的