[发明专利]一种IGBT栅极总线结构有效
| 申请号： | 202010557347.1 | 申请日： | 2020-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN111916496B | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 郑婷婷;李宇柱;李伟邦;骆健;董长城;叶枫叶 | 申请（专利权）人： | 南瑞联研半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L23/48 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 钱玲玲 |
| 地址： | 211100 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 栅极 总线 结构 | ||
1.一种IGBT栅极总线结构，其特征在于：包括衬底(10)，沿衬底(10)上表面一端从外到内依次设置的场氧化层(1)和栅极多晶硅(2)，所述场氧化层(1)和栅极多晶硅(2)之间留有空隙；
还包括介质层(5)，所述介质层(5)覆盖于衬底(10)的整个上表面以及场氧化层(1)和栅极多晶硅(2)的上表面，所述栅极多晶硅(2)上表面的介质层(5)内开设有栅极接触孔(4)；
所述衬底(10)的上表面上开设有有源区沟槽栅(7)，所述有源区沟槽栅(7)的一端延伸至栅极多晶硅(2)的下方，所述有源区沟槽栅(7)内填充有沟槽多晶硅(9)，所述沟槽多晶硅(9)与栅极多晶硅(2)相连接。
2.根据权利要求1所述的一种IGBT栅极总线结构，其特征在于：所述有源区沟槽栅(7)靠近栅极多晶硅(2)的一端与栅极接触孔(4)远离场氧化层(1)的一端之间的距离D＞0。
3.根据权利要求1所述的一种IGBT栅极总线结构，其特征在于：所述场氧化层(1)和栅极多晶硅(2)之间相平行，所述有源区沟槽栅(7)与栅极多晶硅(2)之间相垂直。
4.根据权利要求1所述的一种IGBT栅极总线结构，其特征在于：所述有源区沟槽栅(7)的内表面及衬底(10)的整个上表面均涂覆一层栅氧化层(8)。
5.根据权利要求1所述的一种IGBT栅极总线结构，其特征在于：所述介质层(5)的上表面设有栅极金属(3)，所述栅极接触孔(4)内填充有导体(6)，所述导体(6)一端与栅极多晶硅(2)相连接，另一端与栅极金属(3)相连接。
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