[发明专利]一种具有边缘深结结构的晶圆芯片结构

权利要求书

1.一种具有边缘深结结构的晶圆芯片结构，其特征在于，包括：由所述芯片的中心径向朝向所述芯片的边缘依次设置的平面结构区域和边缘深结区域，

所述平面结构区域和边缘深结区域均包括相互贴合的第一层结构和第二层结构；

在所述边缘深结区域中，所述第二层结构沿着所述晶圆芯片结构的厚度方向朝向所述第一层结构加厚成为边缘深结结构。

2.根据权利要求1所述的一种具有边缘深结结构的晶圆芯片结构，其特征在于，

所述芯片设有第一电极；

由所述芯片的中心径向朝向所述芯片的边缘，所述边缘深结区域的初始位置位于从最靠近芯片边缘处的所述第一电极至所述芯片的磨角区域之间。

3.根据权利要求1所述的一种具有边缘深结结构的晶圆芯片结构，其特征在于，

所述第一层结构为n-基区，所述第一层结构的厚度为500-1500um，掺杂浓度在5e11-1e14cm^-3之间；

所述第二层结构为p基区，所述第二层结构的厚度取为30-60um，峰值掺杂浓度取为1e14-5e15cm^-3；

所述第二层结构朝向所述第一层结构加厚所增加的厚度为20-100um，加厚的所述第二层结构中峰值掺杂浓度不大于未加厚的所述第二层结构中峰值掺杂浓度。

4.根据权利要求1所述的一种具有边缘深结结构的晶圆芯片结构，其特征在于，

所述第一层结构为n-基区，所述第一层结构的厚度为500-1500um，掺杂浓度在5e11-1e14cm^-3之间；

所述第二层结构为p发射极，所述第二层结构的厚度取为50-120um，峰值掺杂浓度取为1e14-1e16cm^-3；

所述第二层结构朝向所述第一层结构加厚所增加的厚度为20-100um，加厚的所述第二层结构中峰值掺杂浓度不大于未加厚的所述第二层结构中峰值掺杂浓度。

5.根据权利要求1-4任一所述的一种具有边缘深结结构的晶圆芯片结构，其特征在于，

所述平面结构区域和边缘深结区域均包括第三层结构；

所述第三层结构与所述第二层结构贴合，所述第三层结构与所述第一层结构之间设有所述第二层结构；

在所述边缘深结区域中，所述第二层结构沿着所述晶圆芯片结构的厚度方向朝向所述第三层结构加厚成为边缘深结第二结构。

6.根据权利要求5所述的一种具有边缘深结结构的晶圆芯片结构，其特征在于，

所述第三层结构为p+基区，所述第三层结构厚度为30-60um，峰值掺杂浓度为1e16-1e18cm^-3；

所述第二层结构沿着所述晶圆芯片结构的厚度方向朝向所述第三层结构加厚厚度30-60um，峰值浓度为1e14-5e15cm^-3。

7.根据权利要求5所述的一种具有边缘深结结构的晶圆芯片结构，其特征在于，

所述第三层结构为p+发射极，所述第三层结构厚度为1-30um，峰值掺杂浓度为1e17-1e20cm^-3；

所述第二层结构沿着所述晶圆芯片结构的厚度方向朝向所述第三层结构加厚厚度1-30um，峰值浓度为1e17-1e20cm^-3。

8.根据权利要求5所述的一种具有边缘深结结构的晶圆芯片结构，其特征在于，

所述第二层结构朝向所述第三层结构沿着所述晶圆芯片结构的厚度方向加厚至所述第三层结构不与所述第二层结构贴合的表面。

9.根据权利要求2所述的一种具有边缘深结结构的晶圆芯片结构，其特征在于，

由所述芯片的中心径向朝向所述芯片的边缘，所述加厚开始的位置位于最靠近所述芯片边缘处的第一电极与所述芯片边缘之间，且到最靠近所述芯片边缘处的第一电极的距离大于200um，到所述芯片边缘的距离大于100um。

10.根据权利要求2或9所述的一种具有边缘深结结构的晶圆芯片结构，其特征在于，

所述第一电极为阴极。