[发明专利]大面积三维-二维钙钛矿异质结原位制备方法在审
申请号: | 202010557729.4 | 申请日: | 2020-06-18 |
公开(公告)号: | CN111668374A | 公开(公告)日: | 2020-09-15 |
发明(设计)人: | 肖尧明 | 申请(专利权)人: | 泉州师范学院 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48;C03C17/36 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 吴志龙;蔡学俊 |
地址: | 362000 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 大面积 三维 二维 钙钛矿异质结 原位 制备 方法 | ||
一种大面积三维‑二维钙钛矿异质结原位制备系统,包括反应腔,其特征在于,所述反应腔内设置有支架组件,所述反应腔外部设置有溶剂循环组件,所述反应腔顶部设置有气体循环管路。本发明通过在3D准单晶钙钛矿层上原位生长大面积高质量的2D钙钛矿薄膜,形成3D‑2D钙钛矿异质结,有利于提高钙钛矿太阳能电池的光伏性能和长期稳定性;密闭循环利用钙钛矿前驱液和反溶剂溶液,有利于减少环境污染,同时提高资源利用率。
技术领域
本发明属于钙钛矿材料技术领域,具体涉及一种大面积三维-二维钙钛矿异质结原位制备方法。
背景技术
近年来,钙钛矿太阳能电池(PSC)实验室光电转换效率已由2009年的3.8%刷新到2019年的认证效率25.2%,具备产业化价值。但是,这些认证或报道的高效PSC大多数是基于相对较小面积(一般是0.1cm2,有些更小至0.03cm2)的三维(3D)多晶钙钛矿材料。3D多晶钙钛矿材料对湿度和温度敏感,其长期稳定性的不足严重制约着PSC的产业化应用。为了提高3D钙钛矿材料的长期稳定性,其中一种有效的解决方法是在3D钙钛矿材料表面制备一层具有较强热稳定性和湿度稳定性的二维(2D)钙钛矿薄膜,形成3D-2D异质结。
目前,实现上述3D-2D钙钛矿异质结可以采用旋涂法、涂布法和气相法。经检索发现专利CN 110061136 A公开了一种背接触式钙钛矿太阳电池及其制备方法,其中3D钙钛矿层是通过热蒸发法、旋涂法、刮涂法、喷涂法等方法制备的,2D钙钛矿层是通过旋涂法制备的。3D钙钛矿是多晶结构,存在大量的晶界和缺陷,不利于获得高效稳定的PSC器件,而且面积小;2D钙钛矿层面积小,而且旋涂液中所含有的有机极性溶剂会对3D钙钛矿层的成膜质量产生诸多不确定性影响,而更为不利的是,这些溶剂均存在一定程度的毒性,如果后续处理不当,大规模应用必将导致严重的环境问题。
专利CN 110061136 A公开了一种背接触式钙钛矿太阳电池及其制备方法,其中3D钙钛矿层是通过热蒸发法、旋涂法、刮涂法、喷涂法等方法制备的,2D钙钛矿层是通过旋涂法制备的。3D钙钛矿是多晶结构,存在大量的晶界和缺陷,不利于获得高效稳定的PSC器件,而且面积小;2D钙钛矿层面积小,而且旋涂液中所含有的有机极性溶剂会对3D钙钛矿层的成膜质量产生诸多不确定性影响,而更为不利的是,这些溶剂均存在一定程度的毒性,如果后续处理不当,大规模应用必将导致严重的环境问题。
专利CN 106410047 A公开了一种大面积钙钛矿太阳电池复合光吸收层及其制备方法,专利CN 106449994 B公开了一种大面积钙钛矿太阳电池光吸收多层膜及其制备方法,其中3D钙钛矿层和2D钙钛矿层都是通过线棒涂布器先后涂布形成的。3D钙钛矿材料和2D钙钛矿材料都是溶解在极性有机溶剂中,在2D钙钛矿材料涂布在3D钙钛矿层表面时,涂布液中所含有的有机极性溶剂会对3D钙钛矿层的薄膜质量产生诸多不利影响,而且这些溶剂的毒性也会导致严重的环境问题。
专利CN 108269921 A公开了一种钙钛矿平面异质结太阳能电池及其制备方法,该3D-2D钙钛矿层均通过气相法制备而成。真空气相法耗能并且设备复杂,同时2D钙钛矿层的蒸发形成温度与3D钙钛矿的分解温度接近,在提高器件稳定性的同时容易牺牲器件整体效率。
专利CN 109962164 A公开了一种恒温气体处理装置、包含有三维-二维钙钛矿薄膜的太阳能电池及其制备方法,该制备方法通过丁基胺饱和蒸气对三维钙钛矿薄膜表面进行处理,快速形成表面二维钙钛矿薄层。丁基胺的饱和蒸气容易发生泄漏,造成严重的环境污染;而且有机胺的用量大,资源利用率不高。
需要解决的技术问题:如何在不损害3D准单晶钙钛矿薄膜的前提下,在3D准单晶钙钛矿层上原位制备大面积高质量的2D钙钛矿薄膜,对于制备高性能稳定的大面积光伏器件至关重要;如何循环利用钙钛矿前驱液和反溶剂溶液,对降低生产成本至关重要;如何减少钙钛矿前驱液中重金属铅以及有机溶剂挥发至环境中,对降低环境污染至关重要。
发明内容
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择