[发明专利]前瞻识别潜在不可校正的误差校正存储器单元和现场对策

权利要求书

1.一种设备，包括：

多个块，所述多个块的每一个包含一组非易失性储存元件，该组非易失性储存元件中的每一个储存表示元素数据的阈值电压；以及

一个或多个管理电路，与所述多个块通信且被配置为：

在擦除操作中擦除所述多个块中的至少一个且在编程操作中编程所述元素数据，

前瞻地将所述多个块中的多个识别为潜在坏的块，并选择性地对所述多个块中的被识别为所述潜在坏的块的多个块施加压力，并且基于选择性地施加所述压力之后的判断，确定所述潜在坏的块是否应从所述擦除和编程操作被止用并被置于增长的坏块池，还是释放到用于所述擦除和编程操作的正常块池。

2.如权利要求1所述的设备，其中所述多个块中的每一个形成在衬底上并电耦接到衬底，所述衬底连接到源极线，并且该组非易失性储存元件电耦接到字线和位线，并且该组非易失性储存元件中的每一个的所述阈值电压在定义与所述阈值电压的阈值电压分布相关联的多个存储器状态的阈值电压的共同范围内，所述多个存储器状态包含与所述阈值电压为负相关联的擦除状态和最高存储器状态，所述最高存储器状态与所述阈值电压的幅度大于任何其他所述多个存储器状态相关联，所述一个或多个管理电路还配置为：

响应于在所述擦除操作中将所述多个块中的一个擦除时将多个擦除电压脉冲通过所述源极线施加到所述衬底之后，该组非易失性储存元件中的每一个的所述阈值电压在擦除验证电平以下，而确定所述多个块中的所述一个块被成功擦除，并且

响应于在所述编程操作中经由所述字线将所述元素数据编程到该组非易失性储存元件之后，经由所述位线感测的该组非易失性储存元件中的多个的所述阈值电压在最高状态验证电平以上，而确定该组非易失性储存元件中的多个被成功编程为所述最高存储器状态。

3.如权利要求2所述的设备，其中所述一个或多个管理电路还配置为：

响应于所述多个擦除电压脉冲中的第一个被施加到所述衬底之后，在替代擦除验证电平以上的该组非易失性储存元件的上尾量的所述阈值电压超出替代擦除验证忽略位阈值，将所述多个块中的多个识别为所述潜在坏的块，所述替代擦除验证电平的幅度大于所述擦除验证电平，

将所述多个块中的被识别为所述潜在坏的块的多个块置于潜在坏块池中，

响应于所述多个擦除电压脉冲中的所述第一个被施加到所述衬底之后，在所述替代擦除验证电平以上的该组非易失性储存元件的上尾量的所述阈值电压不超出所述替代擦除验证忽略位阈值，将所述多个块中的多个释放到用于所述擦除和编程操作的正常块池，

在所述编程操作之后将额外编程验证脉冲施加到所述多个块中的多个的所述该组非易失性储存元件中的多个的字线，并且响应于在替代最高状态验证电平以下的该组非易失性储存元件的下尾量的所述阈值电压超出替代编程验证忽略位阈值，将所述多个块中的多个识别为所述潜在坏的块，所述替代最高状态验证电平在幅度上小于所述最高状态验证电平，

将所述多个块中的被识别为所述潜在坏的块的多个块置于所述潜在坏块池中，以及

响应于在所述替代最高状态验证电平以下的该组非易失性储存元件的所述下尾量的所述阈值电压不超出所述替代编程验证忽略位阈值，将所述多个块中的多个释放到用于所述擦除和编程操作的正常块池。