[发明专利]用于半导体制冷片基材制备的摇摆炉及其控制方法

说明书

本发明提供了一种用于半导体制冷片基材制备的摇摆炉，包括：控制箱；设置于所述温控箱上的温控仪表；与所述温控箱连接的传动电机；联动杆，其一端与所述转动电机铰接；设置于所述温控箱上的支座；设置于所述支座上的炉体，其一端设置有开口，且所述炉体可在所述传动电机及所述联动杆的带动下绕所述支座左右摆动；其中，所述炉体的炉壁设置有保温层，所述保温层合围形成一柱状的容置腔，所述容置腔沿其长度方向设置有至少3个温控区，其中，每一温控区设置有分别与所述温控仪表连接的加热单元以及温度传感器。

技术领域

本发明涉及一种用于半导体制冷片基材制备的摇摆炉及其控制方法。

背景技术

目前，在半导体制冷片基材制备的过程中，需要将半导体晶片放入摇摆炉中熔炼，使半导体晶片中的锑、铋、硒、碲等材料混合并熔炼均匀，从而使其温差电动势率及电阻率达到要求，但是现有的熔炼设备及方法难以达到要求。

发明内容

本发明提供了一种用于半导体制冷片基材制备的摇摆炉及其控制方法，可以有效解决上述问题。

本发明是这样实现的：

本发明提供一种用于半导体制冷片基材制备的摇摆炉，包括：

控制箱；

设置于所述温控箱上的温控仪表；

与所述温控箱连接的传动电机；

联动杆，其一端与所述转动电机铰接；

设置于所述温控箱上的支座；

设置于所述支座上的炉体，其一端设置有开口，且所述炉体可在所述传动电机及所述联动杆的带动下绕所述支座左右摆动；其中，所述炉体的炉壁设置有保温层，所述保温层合围形成一柱状的容置腔，所述容置腔沿其长度方向设置有至少3个温控区，其中，每一温控区设置有分别与所述温控仪表连接的加热单元以及温度传感器。

本发明进一步提供一种上述摇摆炉的控制方法，包括以下步骤：

S1，将半导体晶棒通过所述开口放入所述容置腔中；

S2，通过所述加热单元对所述容置腔进行程序升温到600～700摄氏度，并同时控制所述传动电机带动所述所述炉体绕所述支座左右摆动；

S3，当达到预定温度后，保温3小时，其中，保温过程中控制每一温控区之间的温差在±2℃。

本发明的有益效果是：其一，通过将容置腔沿其长度方向设置有至少3个温控区，且每一温控区设置有分别与所述温控仪表连接的加热单元以及温度传感器，从而可以实现准确的温度控制，进而使半导体晶棒均匀受热，实现晶片中的锑、铋、硒、碲等材料均匀混合及熔炼；其二，通过使所述炉体绕所述支座左右摆动，使所述半导体晶棒可以在容置腔中均匀摆动及碰撞，进一步提高晶片中的锑、铋、硒、碲等材料的均匀混合及熔炼。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施方式的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1是本发明实施例提供的用于半导体制冷片基材制备的摇摆炉的结构示意图。

具体实施方式