[发明专利]MOM结构及金属层间电介质击穿测试方法在审
| 申请号： | 202010558255.5 | 申请日： | 2020-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN112002651A | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 宋怡萱;吴奇伟;尹彬锋;周柯 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mom 结构 金属 电介质 击穿 测试 方法 | ||
1.一种MOM结构，其用于半导体可靠性测试，其特征在于，包括：n个焊垫(Pad1～Padn)和(n-2)个MxMx结构；
第一焊垫(Pad1)至第(n-1)个焊垫(Padn-1)每个焊垫对应连接一个MxMx结构,所有MxMx结构并联在第一焊垫(Pad1)和第n个焊垫(Padn)之间，每个MxMx结构串联有一个单向导通器件，第一焊垫(Pad1)和第n个焊垫(Padn)之间也设有一个单向导通器件；
其中，第一焊垫(Pad1)是单向导通器件正向偏压方向的首个焊垫。
2.如权利要求1所述的MOM结构，其特征在于：单向导通器件是二极管。
3.如权利要求1所述的MOM结构，其特征在于：单向导通器件是SCR。
4.如权利要求1所述的MOM结构，其特征在于：其能用于测试自第一金属层(M1)至顶层金属层(top metal)。
5.如权利要求1所述的MOM结构，其特征在于：n＝12。
6.一种利用权利要求1所述MOM结构的金属层间电介质击穿测试方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1，在第一焊垫(Pad1)加测试电压，第n个焊垫(Padn)接地；
S2，实时测量漏电流直至量测电流大于预设失效电流；
S3，在单向导通器件逆向偏压方向的首个焊垫加测试电压上加测试电压；
S4，将剩下的焊垫依次分别接地测试初始漏电流；
S5，若某焊垫初始漏电流量级达到金属层间电介质击穿时漏电流量级，则判断该焊垫对应MxMx结构对应的是金属层间电介质击穿位置。
7.如权利要求6所述的金属层间电介质击穿测试方法，其特征在于：金属层间电介质击穿位置即该被测器件的薄弱金属层。
8.如权利要求6所述的金属层间电介质击穿测试方法，其特征在于：单向导通器件是二极管。
9.如权利要求6所述的金属层间电介质击穿测试方法，其特征在于：单向导通器件是SCR。
10.如权利要求6所述的金属层间电介质击穿测试方法，其特征在于：初始漏电流量级为1e-11～1e-6A，失效电流为1e-3A。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
