[发明专利]纳米材料及其制备方法和发光二极管在审
申请号: | 202010558501.7 | 申请日: | 2020-06-18 |
公开(公告)号: | CN113823747A | 公开(公告)日: | 2021-12-21 |
发明(设计)人: | 赖学森;严怡然;张建新;敖资通;杨帆 | 申请(专利权)人: | TCL科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;C09K11/66;C09K11/02;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 张杨梅 |
地址: | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 纳米 材料 及其 制备 方法 发光二极管 | ||
1.一种纳米材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供第一溶液,所述第一溶液分散有长链有机配体表面修饰的硫铜锡锌纳米颗粒;
提供第二溶液,所述第二溶液分散有钙钛矿;
将所述第一溶液和所述第二溶液进行混合反应,获得第三溶液;
将所述第三溶液进行固液分离,获得所述纳米材料。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述钙钛矿的分子式表示为ABX3;
其中,A选自CH3NH2+、NH2-CH=NH+、CH3CH2NH2+、CH3(CH2)2NH2+、CH3(CH2)3NH2+、C6H5(CH2)2NH2+和Cs+中的至少一种;
B选自Pb2+和/或Sn2+;
X选自I-、Br-和Cl-中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述第二溶液中的所述钙钛矿的浓度为0.2-3mol/mL;和/或
所述第一溶液中的所述硫铜锡锌纳米颗粒的浓度为1-200mg/mL。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,将所述第一溶液和所述第二溶液进行混合反应的步骤中,所述第二溶液中的钙钛矿和所述第一溶液中的硫铜锡锌纳米颗粒的比例为(0.2-3)mol:(1-200)mg。
5.根据权利要求1至4任一项所述的制备方法,其特征在于,所述长链有机配体选自油胺和/或油酸。
6.根据权利要求1至4任一项所述的制备方法,其特征在于,所述第一溶液的溶剂为非极性溶剂,所述第二溶液的溶剂为极性溶剂;
将所述第一溶液和所述第二溶液混合反应的步骤中,将所述第一溶液和所述第二溶液在分液漏斗中混合振荡,然后静置分层,收集下层清液为所述第三溶液。
7.根据权利要求1至4任一项所述的制备方法,其特征在于,所述第一溶液的溶剂选自苯、甲苯、氯仿、正己烷和正辛烷中的至少一种;和/或
所述第二溶液的溶剂选自二甲亚砜、二甲基甲酰胺和乙腈中的至少一种。
8.根据权利要求1至4任一项所述的制备方法,其特征在于,将所述第三溶液进行固液分离的步骤包括:将所述第三溶液沉积在基板上,并在50℃-150℃下进行退火处理。
9.一种纳米材料,其特征在于,包括:钙钛矿表面修饰的硫铜锡锌纳米颗粒。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TCL科技集团股份有限公司,未经TCL科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010558501.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择