[发明专利]用于处理衬底组件的方法和晶片复合结构

说明书

用于处理衬底组件的方法和晶片复合结构。提供用于处理具有半导体器件层的衬底组件的方法。方法可包括步骤：在衬底组件处布置辅助载体，使得辅助载体的连接表面和衬底组件的第一表面至少在一些位置处彼此直接邻接；通过熔化辅助载体的载体部分和直接邻接辅助载体的载体部分的衬底组件的衬底部分使得辅助载体和衬底组件仅在辅助载体和衬底组件的熔合部分中局部地熔合而将辅助载体固定地附接到衬底组件；以及处理衬底组件的半导体器件层，辅助载体固定地附接到衬底组件；其中熔合部分覆盖衬底组件的第一表面的至多20%。

技术领域

本公开一般地涉及半导体衬底组件处理并且涉及晶片复合（composite）结构。

背景技术

包括薄半导体晶片的薄半导体衬底组件由于它们的低厚度而可能在机械上易碎。因此，在处理期间可能存在衬底组件的损坏并且甚至破损的风险。通过使用机械稳定支持载体（carrier）系统可以防止或至少减少损坏。然而，当前可用的支持载体系统通常不同时虑及将高温过程应用于衬底组件并且虑及在处理之后非破坏性地（nondestructively）移除支持载体系统。

发明内容

一些实施例涉及一种用于处理具有半导体器件层的衬底组件的方法。该方法可以包括如下步骤：在衬底组件处布置辅助载体，使得辅助载体的连接表面和衬底组件的第一表面至少在一些位置处直接彼此邻接。该方法还可以包括如下步骤：通过熔化辅助载体的载体部分和直接邻接辅助载体的载体部分的衬底组件的衬底部分使得辅助载体和衬底组件仅在辅助载体和衬底组件的熔合（fuse）部分中局部地熔合而将辅助载体固定地附接到衬底组件。在另一过程步骤中，可以处理衬底组件的半导体器件层，其中在处理期间辅助载体固定地附接到衬底组件。熔合部分可以覆盖衬底组件的第一表面的至多20%。

另外的实施例涉及一种晶片复合结构，其包括具有连接表面的辅助载体和具有半导体器件层和第一表面的衬底组件。辅助载体和衬底组件可以仅在辅助载体和衬底组件的熔合部分中局部地熔合。熔合部分可以覆盖衬底组件的第一表面的至多20%。

本领域技术人员在阅读以下详细描述时并查看附图时将认识到附加特征和优势。

附图说明

附图的元素不一定相对于彼此按比例。相同的附图标记表示相应的类似部分。各种示出的示例的特征可以组合，除非它们彼此排斥。示例在附图中被描绘并且在以下描述中被详述。

图1A至1E示出了用于处理衬底组件的方法和晶片复合结构的示例性实施例。

图2A至2D示出了用于处理衬底组件的方法和晶片复合结构的示例性实施例，其中示出不同类型的辅助载体。

图3A至3D示出了用于处理衬底组件的方法和晶片复合结构的示例性实施例，其中从衬底组件拆卸（detach）辅助载体。

图4、5A和5B示出了用于处理衬底组件的方法和晶片复合结构的示例性实施例。

具体实施方式

在下文中，提供了用于处理衬底组件的方法。衬底组件可以包括半导体器件层，以及可选地包括其他层和/或部件（例如但不限于：接触结构、金属化结构、钝化结构、绝缘层、支持结构）。衬底组件可以主要沿横向方向延伸；沿着至少一个横向方向的衬底组件的直径可以对应于半导体晶片的生产标准（例如，4英寸（100 mm）、6英寸（150 mm）、8英寸（200mm）、12英寸（300mm）或诸如此类）的至少95%和至多110%。沿着横向方向（即，在从竖直方向到衬底组件上的顶视图中），衬底组件可以具有椭圆形（例如，圆形）或多边形（例如，六边形或矩形或甚至方形（quadratic））形状。垂直于横向方向，在竖直方向上，衬底组件可以具有与直径相比是小的的厚度（例如，直径的至多1%或至多0.5%）。例如，衬底组件的厚度可以是至多1 mm（或至多700μm或至多500μm）。衬底组件的第一表面和第二表面可以基本上（即，除了例如沿衬底组件的表面粗糙度和/或轻微厚度变化）沿横向方向伸展（run）。