[发明专利]紫外光LED芯片结构

说明书

本申请实施例提供了一种紫外光LED芯片结构，包括：一衬底；一发光功能层，其设置于所述衬底下表面，所述发光功能层呈横截面尺寸逐渐增大的棱台状，所述发光功能层的与所述衬底连接的一面横截面尺寸小于所述发光功能层的远离所述衬底的一面的横截面尺寸；一透明导电层，其设置于所述衬底的上表面；一金属发射层，其设置于所述发光功能层的远离所述衬底的一面上。本申请通过将发光功能层的侧壁面设置于倾斜面，从而可以有效的减少紫外光LED芯片结构的上表面的透明电极的面积，增大下表面的金属发射层的面积，从而可以提高紫外光LED芯片结构的出光面积，另外，该倾斜的侧壁面有利于提高紫外光LED芯片结构的光提取效率。

技术领域

本申请涉及LED发光技术领域，具体而言，涉及一种紫外光LED芯片结构。

背景技术

对于具有透明衬底的LED芯片，诸如，具有蓝宝石(α相Al2O3)生长衬底的GaN基蓝光(B)、绿光(G)和紫外(UV)LED芯片，以及具有磷化镓(GaP)或蓝宝石等衬底的红光(R)、黄光(Y)或红外(IR)LED芯片；由于透明衬底作为LED芯片的窗口层，透明衬底相对于LED发光层而言具有胶厚的尺寸，会有一定比例的光从倒装芯片侧面出射，同时由于透明衬底材料的折射率一般介于LED发光材料和空气折射率之间，透明衬底与空气较小的折射率差允许光线具有更大出射角度的逃逸锥，所以传统倒装LED芯片相对于正装LED芯片而言具有更大的发光角度，导致现有技术中的LED芯片结构的光提取率较低。

针对上述问题，目前尚未有有效的技术解决方案。

发明内容

本申请实施例的目的在于提供一种紫外光LED芯片结构，可以提高光提取效率。

第一方面，本申请实施例提供了一种紫外光LED芯片结构，包括：

一衬底；

一发光功能层，其设置于所述衬底下表面，所述发光功能层呈横截面尺寸逐渐增大的棱台状，所述发光功能层的与所述衬底连接的一面横截面尺寸小于所述发光功能层的远离所述衬底的一面的横截面尺寸；

一透明导电层，其设置于所述衬底的上表面；

一金属发射层，其设置于所述发光功能层的远离所述衬底的一面上。

可选地，在本申请实施例所述的紫外光LED芯片结构中，所述发光功能层呈具有四条侧棱的棱台状。

可选地，在本申请实施例所述的紫外光LED芯片结构中，所述发光功能层的四个侧壁面为粗糙化表面。

可选地，在本申请实施例所述的紫外光LED芯片结构中，所述发光功能层的四个侧壁面设置有多个条纹结构。

可选地，在本申请实施例所述的紫外光LED芯片结构中，所述发光功能层的四个侧壁面设置有多个均匀分布且呈半球形的凸点结构。

可选地，在本申请实施例所述的紫外光LED芯片结构中，所述发光功能层的侧壁面与其端面的夹角为在91°到179°。

可选地，在本申请实施例所述的紫外光LED芯片结构中，所述透明导电层为ITO导电层或FTO导电层。

可选地，在本申请实施例所述的紫外光LED芯片结构中，所述金属发射层为铝金属发射层。

可选地，在本申请实施例所述的紫外光LED芯片结构中，所述发光功能层包括LED发光芯片以及透明封装层；

所述LED发光芯片设置于所述衬底上，所述透明封装层设置于所述衬底上以将所述LED发光芯片包裹在内；

所述透明封装层呈横截面尺寸逐渐增大的棱台状，所述透明封装层的与所述衬底连接的一面横截面尺寸小于所述透明封装层的远离所述衬底的一面的横截面尺寸。