[发明专利]一种半导体测试结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体测试结构，其特征在于，包括衬底，所述衬底包括第一表面，所述第一表面上包括：

第一接触结构；

第一层内互连结构和第一层内辅助连接结构，所述第一层内互连结构和所述第一接触结构电连接，且所述第一层内辅助连接结构不与所述第一层内互连结构以及第一接触结构电连接；

第二层内互连结构和第二层内辅助连接结构，所述第一层内互连结构与所述第二层内辅助连接结构电连接，所述第一层内辅助连接结构与所述第二层内互连结构电连接；

第三层内互连结构，所述第三层内互连结构与所述第二层内互连结构和第二层内辅助连接结构电连接。

2.如权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述第一层内互连结构与所述第二层内辅助连接结构通过第一层间连接结构电连接，所述第一层内辅助连接结构与所述第二层内互连结构通过第一层间连接结构电连接。

3.如权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述第三层内互连结构与所述第二层内互连结构通过第二层间连接结构电连接，所述第三层内互连结构与所述第二层内辅助连接结构通过第二层间连接结构电连接。

4.如权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述衬底包括第二表面，所述第二表面上包括焊垫，所述焊垫与所述第一接触结构电连接。

5.如权利要求4所述的半导体测试结构，其特征在于，所述焊垫通过第二接触结构与所述第一接触结构电连接，所述第二接触结构贯穿所述衬底。

6.如权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，还包括：第一绝缘层，位于所述衬底第一表面，所述第一接触结构贯穿所述第一绝缘层。

7.如权利要求6所述的半导体测试结构，其特征在于，所述第一绝缘层为至少一层绝缘层构成的堆栈结构。

8.如权利要求7所述的半导体测试结构，其特征在于，所述第一绝缘层包括氮化硅层和氧化硅层，其中，所述氮化硅层位于所述衬底第一表面，所述氧化硅层位于所述氮化硅层表面。

9.一种半导体测试结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括第一表面；

在所述第一表面上形成第一接触结构；

在所述第一接触结构上形成第一层内互连结构和第一层内辅助连接结构，所述第一层内互连结构和所述第一接触结构电连接，且所述第一层内辅助连接结构不与所述第一层内互连结构以及第一接触结构电连接；

在所述第一层内互连结构和第一层内辅助连接结构上形成第二层内互连结构和第二层内辅助连接结构，所述第一层内互连结构与所述第二层内辅助连接结构电连接，所述第一层内辅助连接结构与所述第二层内互连结构电连接；

在所述第二层内互连结构和第二层内辅助连接结构上形成第三层内互连结构，所述第三层内互连结构与所述第二层内互连结构和第二层内辅助连接结构电连接。

10.如权利要求9所述的半导体测试结构的形成方法，其特征在于，所述衬底包括第二表面，所述形成方法还包括：在所述第二表面上形成焊垫，所述焊垫与所述第一接触结构电连接。