[发明专利]一种反激拓扑结构电源功率扩展并联结构

权利要求书

1.一种反激拓扑结构电源功率扩展并联结构，其特征在于：包括：

电源输入端：用于外界交流电输入，稳定输入电流的波动，并能够防止电流过载；

第一模块组：用于对电量进行变换，将输入的电压、电流转化为合适大小的电压与电流；

第二模块组：用于与第一模块组并联拓展，用于对提高转化电压的大小；

第三模块组：用于与第一模块组并联拓展，用于对提高转化电压的大小；

第N拓展模块组：用于与第一模块组并联拓展，用于对提高转化电压的大小；

PWM控制电路：用于接收反馈信息，从而根据反馈信息对多组模块组接通与关闭，从而改变电源的电源输出；

监控电路：用于对输出的电流进行监控，并将输出信号至PWM控制电路内。

2.根据权利要求1所述的一种反激拓扑结构电源功率扩展并联结构，其特征在于：所述电源输入端由火线(AC L)、零线(AC N)、保险丝、EMI抑制电路、整流滤波电路以及电解电容EC1构成，所述EMI抑制电路、整流滤波电路、电解电容EC1三者并联。

3.根据权利要求1所述的一种反激拓扑结构电源功率扩展并联结构，其特征在于：所述第一模块组由电阻R1A、电阻R2A、NPN三极管Q1A、PNP三极管Q2A、功率MOSFET管Q3A、电阻R3A、电阻R4A、电阻R5A、变压器T1A、肖特基二极管D1A、输出滤波电解电容EC2A等器件组成，所述变压器T1A则是能量转换传递用的变压器，其初级侧绕组起始端与开关MOSFET Q3A的漏极相连接，初级侧绕组结束端与电路中高压电解电容EC1正极相连接，次级侧起始端与整流管阳极相连接，次级侧绕组结束端与输出电容负极相连接。

4.根据权利要求1所述的一种反激拓扑结构电源功率扩展并联结构，其特征在于：所述第二模块组由电阻R1B、电阻R2B、NPN三极管Q1B、PNP三极管Q2B、功率MOSFET管Q3B、电阻R3B、电阻R4B、电阻R5B、变压器T1B、肖特基二极管D1B、输出滤波电解电容EC2B等器件组成。

5.根据权利要求1所述的一种反激拓扑结构电源功率扩展并联结构，其特征在于：所述第三模块组由电阻R1C、电阻R2C、NPN三极管Q1C、PNP三极管Q2C、功率MOSFET管Q3C、电阻R3C、电阻R4C、电阻R5C、变压器T1C、肖特基二极管D1C、输出滤波电解电容EC2C等器件组成。

6.根据权利要求1所述的一种反激拓扑结构电源功率扩展并联结构，其特征在于：所述第N模块组为扩展功率组件，所述第N模块组由电阻R1N、电阻R2N、NPN三极管Q1N、PNP三极管Q2N、功率MOSFET管Q3N、电阻R3N、电阻R4N、电阻R5N、变压器T1N、肖特基二极管D1N、输出滤波电解电容EC2N等器件组成。

7.根据权利要求1所述的一种反激拓扑结构电源功率扩展并联结构，其特征在于：所述PWM控制电路外开设有Vcc接口、FB接口、CS接口、PWM接口以及Gnd接口。

8.根据权利要求1所述的一种反激拓扑结构电源功率扩展并联结构，其特征在于：所述第一模块组、第二模块组、第三模块组以及第N模块组一侧串联有输出电容EC3，且所述输出电容EC3的端口连接有Vout输出端。

9.根据权利要求7所述的一种反激拓扑结构电源功率扩展并联结构，其特征在于：所述监控电路由隔离反馈电路、电流电压采样反馈电路构成，所述监控电路通过输出线与PWM控制电路的FB接口接通。