[发明专利]一种晶体生长方法及装置有效
| 申请号： | 202010562410.0 | 申请日： | 2020-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN111663176B | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 王宇;官伟明;梁振兴;李敏 | 申请（专利权）人： | 眉山博雅新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B9/00 | 分类号： | C30B9/00;C30B15/00 |
| 代理公司： | 成都七星天知识产权代理有限公司 51253 | 代理人： | 杨永梅 |
| 地址： | 620010 四川省眉*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶体生长 方法 装置 | ||
1.一种晶体生长方法，其特征在于，所述方法包括：
将生长ND:YAG晶体的原料置于生长腔体中；
对所述生长腔体进行初步抽真空处理；
当所述生长腔体的真空度达到第一预设值时，加热所述生长腔体，其中，所述第一预设值为0.5Pa-10Pa；
在加热所述生长腔体过程中，对所述生长腔体进行二次抽真空处理，所述在加热所述生长腔体过程中，对所述生长腔体进行二次抽真空处理包括：
当所述生长腔体的温度低于温度阈值时，同时对所述生长腔体进行加热和抽真空处理；
当所述生长腔体的温度达到所述温度阈值后，暂停对所述生长腔体的继续加热，保持所述生长腔体恒温，在所述温度阈值下对所述生长腔体进行抽真空处理；
所述温度阈值为800-1400摄氏度；
当所述生长腔体的所述真空度达到第二预设值时，暂停对所述生长腔体加热，然后向所述生长腔体内通入保护气体，其中，所述第二预设值为0.05Pa；
当所述生长腔体的压力达到预设压力值时，继续对所述生长腔体进行加热，其中，所述预设压力值为0.01MPa；以及
当所述生长腔体的温度达到预设温度时，对所述生长腔体进行2次换气处理，其中，所述预设温度是所述晶体熔点温度的69％-71％；
所述换气处理包括：先对所述生长腔体进行抽气处理，当所述生长腔体内的压力达到-0.08MPa时，停止抽气处理，并向所述生长腔体通入保护气体，以使所述生长腔体中的压力保持在0.02MPa；
基于所述原料，在所述生长腔体内生长所述ND:YAG晶体；以及
所述生长腔体是铱坩埚。
2.根据权利要求1所述的晶体生长方法，其特征在于，所述铱坩埚表面涂覆有保护层。
3.根据权利要求2所述的晶体生长方法，其特征在于，所述保护层包括氧化锆涂层、纳米陶瓷涂层、ZS-1023金属防氧化涂层、CY-CM耐火隔热涂层中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的晶体生长方法，其特征在于，所述保护气体包括氩气。
5.根据权利要求1所述的晶体生长方法，其特征在于，所述方法还包括：
对所述生长腔体内的气体进行气体循环过滤以吸附所述生长腔体内的水蒸气。
6.根据权利要求5所述的晶体生长方法，其特征在于，所述气体循环过滤的干燥剂包括P2O5、硅胶、MgO、分子筛、无水流酸钙中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过加热线圈加热所述生长腔体，所述加热线圈表面经过绝缘处理，其中，所述绝缘处理包括涂绝缘漆、缠绝缘布中的至少一种。
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