[发明专利]鳍式晶体管结构在审
| 申请号： | 202010563660.6 | 申请日： | 2020-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN111653623A | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 郑智仁;翁文寅 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201315 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体管 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种鳍式晶体管结构，其特征在于，包括：
一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构；
侧墙，形成在所述栅极结构两侧；
顶部界面层，形成在所述栅极结构顶部；
接触刻蚀停止层，设置在所述硅衬底及栅极结构上；
应力层，设置在所述接触刻蚀停止层上。
2.如权利要求1所述的鳍式晶体管结构，其特征在于，所述栅极结构包括栅介质层和金属栅层。
3.如权利要求2所述的鳍式晶体管结构，其特征在于，所述栅介质层为高介电常数栅极绝缘体层。
4.如权利要求2所述的鳍式晶体管结构，其特征在于，所述金属栅极包括一个或多个功函数层。
5.如权利要求1所述的鳍式晶体管结构，其特征在于，所述栅极结构之间还形成有层间膜。
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