[发明专利]一种低功耗互补型数字可变增益放大器

权利要求书

1.一种低功耗互补型数字可变增益放大器，其特征在于：包括跨导放大器和跨阻放大器，其中，跨导放大器包括至少一个跨导级，各个跨导级的结构彼此相同，各个跨导级彼此并联连接构成跨导放大器，跨导放大器用于将输入的电压信号转化成输出的电流信号，并通过控制各跨导级在电路实施应用中的接入，实现对所接入各跨导级等效跨导值与增益的控制；

跨导放大器的输出端对接跨阻放大器的输入端，跨阻放大器用于将跨导放大器所输出的电流信号进行放大、并转化为电压信号进行输出；

跨阻放大器包括结构彼此相同的两个侧位结构，各侧位结构分别均包括第四PMOS管MP4、第五PMOS管MP5、第六PMOS管MP6、第四NMOS管MN4、第五NMOS管MN5、第六NMOS管MN6、第七NMOS管MN7、电阻R1；

各侧位结构中：第四PMOS管MP4的栅极与漏极相连，且该相连位置与第六PMOS管MP6的栅极、第四NMOS管MN4的漏极相连接；第五PMOS管MP5的漏极分别连接第四NMOS管MN4的栅极、第五NMOS管MN5的漏极；第四NMOS管MN4的源极、第六NMOS管MN6的漏极、第五NMOS管MN5的栅极三者相连，且该相连位置构成侧位结构的输入端；第六NMOS管MN6的栅极对接NMOS管偏置电压Vbn；第六PMOS管MP6的漏极、第七NMOS管MN7的漏极、电阻R1的其中一端三者相连，且该相连位置构成侧位结构的输出端；

两侧位结构中的第四PMOS管MP4的源极、第五PMOS管MP5的源极、第六PMOS管MP6的源极共六者彼此相连，且该相连位置对接电源VDD；两侧位结构中第五PMOS管MP5的栅极彼此相连，且该相连位置对接PMOS管偏置电压Vbp；两侧位结构中的第六NMOS管MN6的源极、第五NMOS管MN5的源极、第七NMOS管MN7的源极共六者彼此相连，且该相连位置接地；两侧位结构中电阻R1的另一端彼此相连，且该相连位置分别对接两侧位结构中第七NMOS管MN7的栅极；

其中一侧位结构的输入端构成跨阻放大器的正极电流输入端，且该侧位结构的输出端构成跨阻放大器的负极电压输出端Vout-；另一侧位结构的输入端构成跨阻放大器的负极电流输入端，且该侧位结构的输出端构成跨阻放大器的正极电压输出端Vout+；

跨阻放大器的正极电流输入端、负极电流输入端分别对接跨导放大器的正极电流输出端、负极电流输出端，跨阻放大器的正极电流输入端、负极电流输入端分别接收跨导放大器输出的正极电流信号、负极电流信号，跨阻放大器的正极电压输出端Vout+、负极电压输出端Vout-针对处理所获得的电压信号，分别实现正极电压信号的输出、负极电压信号的输出。

2.根据权利要求1所述一种低功耗互补型数字可变增益放大器，其特征在于：所述跨导放大器中的各个跨导级分别均包括第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第一开关Ctr1、第二开关Ctr2、第三开关Ctr3、第四开关Ctr4；

各个跨导级的结构中：第一PMOS管MP1的栅极经第三开关Ctr3对接PMOS管偏置电压Vbp，第一PMOS管MP1的漏极分别与第二PMOS管MP2的源极、第三PMOS管MP3的源极相连接；第二PMOS管MP2的栅极与第二NMOS管MN2的栅极相连后、对接第一开关Ctr1的其中一端，第一开关Ctr1的另一端构成跨导级的正极输入端；第二PMOS管MP2的漏极与第二NMOS管MN2的漏极相连，且该相连位置构成跨导级的正极输出端；第三PMOS管MP3的栅极与第三NMOS管MN3的栅极相连后、对接第二开关Ctr2的其中一端，第二开关Ctr2的另一端构成跨导级的负极输入端；第三PMOS管MP3的漏极与第三NMOS管MN3的漏极相连，且该相连位置构成跨导级的负极输出端；第一NMOS管MN1的漏极分别与第二NMOS管MN2的源极、第三NMOS管MN3的源极相连接；第一NMOS管MN1的栅极经第四开关Ctr4对接NMOS管偏置电压Vbn；第一NMOS管MN1的源极接地；

各个跨导级的正极输入端彼此相连，且该相连位置构成跨导放大器的正极电压输入端Vin+；各个跨导级的负极输入端彼此相连，且该相连位置构成跨导放大器的负极电压输入端Vin-；各个跨导级的正极输出端彼此相连，且该相连位置构成跨导放大器的正极电流输出端；各个跨导级的负极输出端彼此相连，且该相连位置构成跨导放大器的负极电流输出端；各个跨导级中第一PMOS管MP1的源极彼此相连，且该相连位置对接电源VDD；

跨导放大器的正极电压输入端Vin+、负极电压输入端Vin-分别接收所输入正极电压信号、负极电压信号，跨导放大器的正极电流输出端、负极电流输出端针对处理所获得的电流信号，分别实现正极电流信号的输出、负极电流信号的输出。