[发明专利]一种噪声循环的LC压控振荡器电路有效
申请号: | 202010564508.X | 申请日: | 2020-06-19 |
公开(公告)号: | CN111628725B | 公开(公告)日: | 2022-11-01 |
发明(设计)人: | 吉新村;沈梦琪;张宪伟;郭宇锋 | 申请(专利权)人: | 南京邮电大学 |
主分类号: | H03B5/12 | 分类号: | H03B5/12;H03L7/099 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 何春廷 |
地址: | 210012 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 噪声 循环 lc 压控振荡器 电路 | ||
本发明公开了一种噪声循环的LC压控振荡器电路,包括谐振器电路、噪声循环的有源核心电路;所述谐振器电路,由电感、电容和电阻构成,保证振荡器起振;所述噪声循环的有源核心电路,用于抵消谐振器电路中无源器件产生的电阻损耗,使振荡器可以稳定工作。优点:本电路同时省去尾电流源,从而避免电流源闪烁噪声对相位噪声的影响,同时降低压控振荡器的功耗。与传统的交叉耦合压控振荡器相比,在本电路中,使用了噪声循环的有源核心极大的抑制了有源器件的有效噪声功率,提供了相同的负阻,具有高频率且相位噪声得到了改善。
技术领域
本发明涉及一种噪声循环的LC压控振荡器电路,属于微电子技术领域。
背景技术
在SOC片上系统中都需要设计锁相环电路来为系统提供一个时钟频率。传统应用于SOC片上系统的锁相环功耗、面积大,相位噪声差,压控振荡器是锁相环的核心部分,低功耗、小面积,相位噪声好的振荡器电路具有重要价值。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷,提供一种噪声循环的LC压控振荡器电路。
为解决上述技术问题,本发明提供一种噪声循环的LC压控振荡器电路,包括谐振器电路、噪声循环的有源核心电路;
所述谐振电路,用于通过电感、电容和电阻构成的电路保证振荡器起振;
所述噪声循环的有源核心电路,用于抵消谐振器电路中无源器件产生的电阻损耗。
进一步的,所述谐振电路包括电容C2、C3,可变电容C4、C5,电感L,电阻R3、R4;
其中电容C2、可变电容C4、可变电容C5、电容C3之间依次串联为串联电路,串联电路的一端分别连接电感L的VCOP端和噪声循环的有源核心电路,串联电路的另一端分别连接电感L的VCON端和噪声循环的有源核心电路;
所述电阻R3的一端接电容C2和可变电容C4相连的部分;所述电阻R4的一端接电容C3和可变电容C5相连的部分;电阻R3的另一端和电阻R4的另一端相连。
进一步的,所述可变电容C4、C5的中间接控制电压Vc。
进一步的,所述电感L的输入端接电源VDD。
进一步的,所述电阻R3的另一端和电阻R4的另一端相连并接地。
进一步的,所述噪声循环的有源核心电路包括NMOS交叉耦合对M0和M1、电容C0、C1、电阻R0、R1以及PMOS管M2、M3;
NMOS管M0的栅极分别与电容C1的一端、NMOS管M1的漏极以及所述串联电路的另一端相连,电容C1的另一端分别与PMOS管M3的栅极和电阻R1的一端相连,电阻R1的另一端接地;NMOS管M0的源极与PMOS管M2的源极相连,PMOS管M2的漏极接地;
NMOS管M1的栅极与电容C0的一端、NMOS管M0的漏极以及所述串联电路的一端相连,电容C0的另一端分别与PMOS管M2的栅极和电阻R0的一端相连,电阻R0的另一端接地;NMOS管M1的源极与PMOS管M3的源极相连,PMOS管M3的漏极接地。
本发明所达到的有益效果:
本电路同时省去尾电流源,从而避免电流源闪烁噪声对相位噪声的影响,同时降低压控振荡器的功耗。与传统的交叉耦合的压控振荡器相比,在本电路中,使用了噪声循环的有源核心极大的抑制了有源器件的有效噪声功率,提供了相同的负阻,具有高频率且相位噪声得到了改善。
附图说明
图1是本发明的电路框图;
图2是本发明采用的中心抽头电感电路模型。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京邮电大学,未经南京邮电大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010564508.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种物业巡查设备监测点管理方法
- 下一篇:PHD接插件拆拔钳