[发明专利]一种噪声循环的LC压控振荡器电路有效

专利信息
申请号: 202010564508.X 申请日: 2020-06-19
公开(公告)号: CN111628725B 公开(公告)日: 2022-11-01
发明(设计)人: 吉新村;沈梦琪;张宪伟;郭宇锋 申请(专利权)人: 南京邮电大学
主分类号: H03B5/12 分类号: H03B5/12;H03L7/099
代理公司: 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人: 何春廷
地址: 210012 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 噪声 循环 lc 压控振荡器 电路
【说明书】:

发明公开了一种噪声循环的LC压控振荡器电路,包括谐振器电路、噪声循环的有源核心电路;所述谐振器电路,由电感、电容和电阻构成,保证振荡器起振;所述噪声循环的有源核心电路,用于抵消谐振器电路中无源器件产生的电阻损耗,使振荡器可以稳定工作。优点:本电路同时省去尾电流源,从而避免电流源闪烁噪声对相位噪声的影响,同时降低压控振荡器的功耗。与传统的交叉耦合压控振荡器相比,在本电路中,使用了噪声循环的有源核心极大的抑制了有源器件的有效噪声功率,提供了相同的负阻,具有高频率且相位噪声得到了改善。

技术领域

本发明涉及一种噪声循环的LC压控振荡器电路,属于微电子技术领域。

背景技术

在SOC片上系统中都需要设计锁相环电路来为系统提供一个时钟频率。传统应用于SOC片上系统的锁相环功耗、面积大,相位噪声差,压控振荡器是锁相环的核心部分,低功耗、小面积,相位噪声好的振荡器电路具有重要价值。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷,提供一种噪声循环的LC压控振荡器电路。

为解决上述技术问题,本发明提供一种噪声循环的LC压控振荡器电路,包括谐振器电路、噪声循环的有源核心电路;

所述谐振电路,用于通过电感、电容和电阻构成的电路保证振荡器起振;

所述噪声循环的有源核心电路,用于抵消谐振器电路中无源器件产生的电阻损耗。

进一步的,所述谐振电路包括电容C2、C3,可变电容C4、C5,电感L,电阻R3、R4;

其中电容C2、可变电容C4、可变电容C5、电容C3之间依次串联为串联电路,串联电路的一端分别连接电感L的VCOP端和噪声循环的有源核心电路,串联电路的另一端分别连接电感L的VCON端和噪声循环的有源核心电路;

所述电阻R3的一端接电容C2和可变电容C4相连的部分;所述电阻R4的一端接电容C3和可变电容C5相连的部分;电阻R3的另一端和电阻R4的另一端相连。

进一步的,所述可变电容C4、C5的中间接控制电压Vc。

进一步的,所述电感L的输入端接电源VDD

进一步的,所述电阻R3的另一端和电阻R4的另一端相连并接地。

进一步的,所述噪声循环的有源核心电路包括NMOS交叉耦合对M0和M1、电容C0、C1、电阻R0、R1以及PMOS管M2、M3;

NMOS管M0的栅极分别与电容C1的一端、NMOS管M1的漏极以及所述串联电路的另一端相连,电容C1的另一端分别与PMOS管M3的栅极和电阻R1的一端相连,电阻R1的另一端接地;NMOS管M0的源极与PMOS管M2的源极相连,PMOS管M2的漏极接地;

NMOS管M1的栅极与电容C0的一端、NMOS管M0的漏极以及所述串联电路的一端相连,电容C0的另一端分别与PMOS管M2的栅极和电阻R0的一端相连,电阻R0的另一端接地;NMOS管M1的源极与PMOS管M3的源极相连,PMOS管M3的漏极接地。

本发明所达到的有益效果:

本电路同时省去尾电流源,从而避免电流源闪烁噪声对相位噪声的影响,同时降低压控振荡器的功耗。与传统的交叉耦合的压控振荡器相比,在本电路中,使用了噪声循环的有源核心极大的抑制了有源器件的有效噪声功率,提供了相同的负阻,具有高频率且相位噪声得到了改善。

附图说明

图1是本发明的电路框图;

图2是本发明采用的中心抽头电感电路模型。

具体实施方式

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