[发明专利]焊接终端结构及其制造方法、半导体封装结构、电子器件

权利要求书

1.一种焊接终端结构，包括位于半导体元件一侧表面的电极焊垫，其特征在于，所述焊接终端结构还包括：

绝缘层，位于所述半导体元件上设有所述电极焊垫的一侧，且所述绝缘层设置在所述半导体元件表面未设有所述电极焊垫的部分；

UBM层，位于所述电极焊垫具有开放区域的一侧，所述UBM层与所述半导体元件之间通过所述电极焊垫和/或绝缘层进行连接，所述UBM层至少包含用于补偿晶圆探针测试时产生的测试痕迹的金属粘合层；以及

用于半导体封装的焊接凸块，所述焊接凸块设置在所述UBM层远离所述电极焊垫的一侧。

2.根据权利要求1所述的焊接终端结构，其特征在于，所述金属粘合层的材料与所述电极焊垫的材料相同，所述金属粘合层的厚度为100Å到5000Å。

3.根据权利要求1所述的焊接终端结构，其特征在于，所述UBM层还包括位于所述金属粘合层朝向所述焊接凸块一侧的防热扩散层，所述防热扩散层朝向所述焊接凸块一侧通过焊接键合层与所述焊接凸块连接。

4.根据权利要求3所述的焊接终端结构，其特征在于，所述防热扩散层、所述金属粘合层以及所述焊接键合层的同侧侧面位于同一平面，或者，所述金属粘合层的端部和所述防热扩散层的端部均突出至所述焊接键合层侧面。

5.根据权利要求4所述的焊接终端结构，其特征在于，在所述金属粘合层的端部和所述防热扩散层的端部均突出至所述焊接键合层侧面时，所述金属粘合层两端直线距离大小与所述焊接凸块的直径大小相同，或者所述金属粘合层两端直线距离大小是所述焊接凸块的直径大小的50%-99.9%倍；所述防热扩散层两端直线距离大小与所述焊接凸块的直径大小相同，或者所述防热扩散层两端直线距离大小是所述焊接凸块的直径大小的50%-99.9%倍。

6.一种如权利要求1-5任一所述的焊接终端结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

将半导体元件一侧表面设置电极焊垫；

在所述半导体元件上设有所述电极焊垫的一侧表面设置绝缘层，且所述绝缘层设置在所述半导体元件表面未设有所述电极焊垫的部分，以暴露所述半导体元件一侧表面的电极焊垫区域；

在所述电极焊垫一侧设置UBM层，以使所述UBM层与所述半导体元件之间通过所述电极焊垫和/或绝缘层进行连接，所述UBM层至少包含用于补偿晶圆探针测试时产生的测试痕迹的金属粘合层；

在所述UBM层远离所述电极焊垫的一侧采用回流焊工艺形成所述焊接凸块，得到所述焊接终端结构。

7.一种采用权利要求6所述的焊接终端结构的制造方法制造得到的焊接终端结构。

8.一种半导体封装结构，其特征在于，部分包含如权利要求1或2或3或4或5或7所述的焊接终端结构。

9.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构包括用于安装所述焊接终端结构的基板，所述半导体元件通过至少一个焊接凸块与所述基板连接。

10.一种电子器件，其特征在于，部分或全部包含如权利要求8或9所述的半导体封装结构。