[发明专利]显示装置、显示模块、电子设备及显示装置的制造方法在审
申请号: | 202010565319.4 | 申请日: | 2020-06-19 |
公开(公告)号: | CN112117285A | 公开(公告)日: | 2020-12-22 |
发明(设计)人: | 楠纮慈;江口晋吾;池田隆之 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/15;H01L33/50;G09F9/33 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 童春媛;梅黎 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 显示 模块 电子设备 制造 方法 | ||
本发明是一种包括第一绝缘层、第二绝缘层、第一晶体管、第二晶体管、第一发光二极管、第二发光二极管以及颜色转换层的显示装置。第一绝缘层位于第一晶体管及第二晶体管上。第一发光二极管及第二发光二极管位于第一绝缘层上。颜色转换层位于第二发光二极管上。颜色转换层具有将第二发光二极管所发射的光转换为波长更长的光的功能。第一晶体管及第二晶体管各自包括金属氧化物层及栅电极。金属氧化物层具有沟道形成区域。栅电极的顶面的高度与第二绝缘层的顶面的高度一致或大致一致。
技术领域
本发明的一个方式涉及一种显示装置、显示模块、电子设备及它们的制造方法。
注意,本发明的一个方式不局限于上述技术领域。作为本发明的一个方式的技术领域的例子,可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、电子设备、照明装置、输入装置(例如,触摸传感器等)、输入输出装置(例如,触摸面板等)、它们的驱动方法或它们的制造方法。
背景技术
近年来,已提出了将微型发光二极管(Micro LED(Light Emitting Diode))用于显示元件的显示装置(例如,专利文献1)。将微型LED用于显示元件的显示装置具有高亮度、高对比度、长使用寿命等优点,因此作为新一代显示装置,对其的研究开发非常活跃。
[专利文献1]美国专利申请公开第2014/0367705号说明书
发明内容
在将微型LED用于显示元件的显示装置中,LED芯片的安装所需要的时间极长,所以制造成本的缩减是要解决的课题。例如,在取放方式中,在不同的晶片上分别制造红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的LED,逐一切割出LED,并将其安装于电路板上。因此,显示装置的像素数越多,要安装的LED的个数越多,所以安装所需要的时间变长。此外,显示装置的分辨率越高,安装LED的难易度越高。
本发明的一个方式的目的之一是提供一种分辨率高的显示装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种显示质量高的显示装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种低功耗的显示装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种可靠性高的显示装置。
本发明的一个方式的目的之一是缩减将微型LED用于显示元件的显示装置的制造成本。本发明的一个方式的目的之一是以高成品率制造将微型LED用于显示元件的显示装置。
注意,上述目的的描述并不妨碍其他目的的存在。本发明的一个方式不一定需要实现所有上述目的。可以从说明书、附图、权利要求书的记载中抽取上述目的以外的目的。
本发明的一个方式是一种显示装置,该显示装置包括第一绝缘层、第二绝缘层、第一晶体管、第二晶体管、第一发光二极管、第二发光二极管及颜色转换层。第一晶体管与第一发光二极管电连接。第二晶体管与第二发光二极管电连接。第一绝缘层位于第一晶体管及第二晶体管上。第一发光二极管及第二发光二极管位于第一绝缘层上。颜色转换层位于第二发光二极管上。颜色转换层被构成为将第二发光二极管所发射的光转换为波长更长的光。第一晶体管及第二晶体管各自包括金属氧化物层及栅电极。金属氧化物层具有沟道形成区域。栅电极的顶面的高度与第二绝缘层的顶面的高度一致或大致一致。
第一晶体管优选还包括栅极绝缘层、第一导电层及第二导电层。金属氧化物层具有与第一导电层重叠的第一区域、与第二导电层重叠的第二区域以及第一区域和第二区域之间的第三区域。第一导电层及第二导电层在金属氧化物层上互相分开。第二绝缘层位于第一导电层及第二导电层上。第二绝缘层具有与第三区域重叠的开口。栅极绝缘层位于开口的内侧并与第二绝缘层的侧面及第三区域的顶面重叠。栅电极位于开口的内侧并隔着栅极绝缘层与第二绝缘层的侧面及第三区域的顶面重叠。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的