[发明专利]一种WS2

权利要求书

1.一种WS₂-Ta复合薄膜，包括WS₂和Ta；

所述WS₂-Ta复合薄膜中Ta的含量为2～6at.％。

2.根据权利要求1所述的WS₂-Ta复合薄膜，其特征在于，所述WS₂-Ta复合薄膜的厚度为1.5～3μm。

3.根据权利要求2所述的WS₂-Ta复合薄膜，其特征在于，所述WS₂-Ta复合薄膜的真空摩擦系数≤0.05，耐磨寿命3×10⁵r。

4.权利要求1～3任一项所述WS₂-Ta复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：

对基体材料表面进行Ar离子轰击处理，得到待溅射表面；

在所述待溅射表面同时沉积WS₂和Ta，得到所述WS₂-Ta复合薄膜；

所述沉积WS₂的方法为射频磁控溅射，所述沉积Ta的方法为直流磁控溅射。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述基体材料的材质为不锈钢或钛合金。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述Ar离子轰击处理的条件包括：保护气为氩气，气压为1.5～5Pa；离子轰击电压为-500～-1000V，离子轰击时间为15～30min。

7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述射频磁控溅射的条件包括：保护气为氩气，气压为1.5～2.5Pa；偏压为-10～-50V，电源功率为250～400W，溅射时间为30～60min。

8.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述直流磁控溅射的条件包括：保护气为氩气，气压为1.5～2.5Pa；偏压为-10～-50V，电源功率为20～40W，溅射时间为30～60min。

9.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述沉积WS₂和Ta时，靶材与待处理基体材料待沉积表面的距离独立为60～90mm。

10.权利要求1～3任一项所述WS₂-Ta复合薄膜或权利要求4～9任一项所述制备方法制备得到的WS₂-Ta复合薄膜作为机械构件表面的润滑膜的应用。