[发明专利]一种CVD金刚石厚膜-陶瓷复合片钎焊刀具及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202010566135.X 申请日: 2020-06-19
公开(公告)号: CN111910168B 公开(公告)日: 2022-06-10
发明(设计)人: 宋鑫;孙方宏 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: C23C16/27 分类号: C23C16/27;C23C16/02;C23C16/56
代理公司: 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 代理人: 胡晶
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 cvd 金刚石 陶瓷 复合 钎焊 刀具 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种CVD金刚石厚膜-陶瓷复合片钎焊刀具的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

S1、喷砂和植晶:将氮化硅陶瓷基体表面先通过喷砂粗化,然后进行超声波植晶,得到预处理过的氮化硅陶瓷基体,所述喷砂采用粒径为100-180μm SiC砂,植晶采用粒径为1-5μm的金刚石微粉;

S2、沉积金刚石厚膜:采用微波化学气相沉积法,在预处理过的氮化硅陶瓷基体的表面沉积金刚石厚膜得到CVD金刚石厚膜-陶瓷复合片;所述金刚石厚膜的厚度为100-150μm,所述金刚石厚膜为微米/纳米晶粒复合金刚石厚膜;所述微米/纳米晶粒复合金刚石厚膜中,纳米晶粒金刚石膜层作为复合金刚石厚膜的起始层,微米晶粒金刚石膜层作为结束层,纳米晶粒金刚石膜层和微米晶粒金刚石膜层交替生长,每层生长时间为5h,总生长时间24-40h;其中,纳米层的沉积工艺参数为:微波功率3.0kW,反应气压14kPa,氢气流量300sccm,甲烷流量50sccm,氮气流量1.2sccm,基体温度850~900℃,沉积速率为3μm/h;微米层的沉积工艺参数为:微波功率3.5kW,反应气压20kPa,氢气流量400sccm,甲烷流量40sccm,基体温度850-900℃,生长速率为5.4μm/h;

S3、机械抛光:将CVD金刚石厚膜-陶瓷复合片上的CVD金刚石厚膜进行机械抛光;

S4、激光切割:将机械抛光后的CVD金刚石厚膜-陶瓷复合片激光切割成所需形状;

S5、真空钎焊和刃磨:将激光切割后的CVD金刚石厚膜-陶瓷复合片,真空钎焊至硬质合金刀体上,然后通过刃磨制成CVD金刚石厚膜-陶瓷复合片钎焊刀具。

2.根据权利要求1所述的CVD金刚石厚膜-陶瓷复合片钎焊刀具的制备方法,其特征在于,步骤S1中,所述喷砂采用粒径为100-180μm SiC砂,喷砂压力为0.1-0.2MPa,喷砂时间为10-20s。

3.根据权利要求1所述的CVD金刚石厚膜-陶瓷复合片钎焊刀具的制备方法,其特征在于,步骤S1中,所述超声波植晶的方法为:将表面喷砂粗化后的氮化硅陶瓷基体浸入金刚石微粉悬浊液中,超声波震荡植晶20-30min,然后用去离子水和丙酮依次进行超声清洗,所述金刚石微粉悬浊液由粒径为1-5μm的金刚石微粉和甲醇配制而成。

4.根据权利要求1所述的CVD金刚石厚膜-陶瓷复合片钎焊刀具的制备方法,其特征在于,步骤S3中,所述机械抛光的方法为:使用铸铁抛光盘,15μm金刚石微粉作为磨料,抛光后表面粗糙度低于50nm。

5.根据权利要求1所述的CVD金刚石厚膜-陶瓷复合片钎焊刀具的制备方法,其特征在于,步骤S5中,所述真空钎焊选用的焊料为银、铜、铟和钛组成的焊料。

6.一种CVD金刚石厚膜-陶瓷复合片钎焊刀具,其特征在于,采用权利要求1至5任一项所述的CVD金刚石厚膜-陶瓷复合片钎焊刀具的制备方法制备而成。

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