[发明专利]一种CVD金刚石厚膜-陶瓷复合片钎焊刀具及其制备方法有效
申请号: | 202010566135.X | 申请日: | 2020-06-19 |
公开(公告)号: | CN111910168B | 公开(公告)日: | 2022-06-10 |
发明(设计)人: | 宋鑫;孙方宏 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | C23C16/27 | 分类号: | C23C16/27;C23C16/02;C23C16/56 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 胡晶 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 cvd 金刚石 陶瓷 复合 钎焊 刀具 及其 制备 方法 | ||
1.一种CVD金刚石厚膜-陶瓷复合片钎焊刀具的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
S1、喷砂和植晶:将氮化硅陶瓷基体表面先通过喷砂粗化,然后进行超声波植晶,得到预处理过的氮化硅陶瓷基体,所述喷砂采用粒径为100-180μm SiC砂,植晶采用粒径为1-5μm的金刚石微粉;
S2、沉积金刚石厚膜:采用微波化学气相沉积法,在预处理过的氮化硅陶瓷基体的表面沉积金刚石厚膜得到CVD金刚石厚膜-陶瓷复合片;所述金刚石厚膜的厚度为100-150μm,所述金刚石厚膜为微米/纳米晶粒复合金刚石厚膜;所述微米/纳米晶粒复合金刚石厚膜中,纳米晶粒金刚石膜层作为复合金刚石厚膜的起始层,微米晶粒金刚石膜层作为结束层,纳米晶粒金刚石膜层和微米晶粒金刚石膜层交替生长,每层生长时间为5h,总生长时间24-40h;其中,纳米层的沉积工艺参数为:微波功率3.0kW,反应气压14kPa,氢气流量300sccm,甲烷流量50sccm,氮气流量1.2sccm,基体温度850~900℃,沉积速率为3μm/h;微米层的沉积工艺参数为:微波功率3.5kW,反应气压20kPa,氢气流量400sccm,甲烷流量40sccm,基体温度850-900℃,生长速率为5.4μm/h;
S3、机械抛光:将CVD金刚石厚膜-陶瓷复合片上的CVD金刚石厚膜进行机械抛光;
S4、激光切割:将机械抛光后的CVD金刚石厚膜-陶瓷复合片激光切割成所需形状;
S5、真空钎焊和刃磨:将激光切割后的CVD金刚石厚膜-陶瓷复合片,真空钎焊至硬质合金刀体上,然后通过刃磨制成CVD金刚石厚膜-陶瓷复合片钎焊刀具。
2.根据权利要求1所述的CVD金刚石厚膜-陶瓷复合片钎焊刀具的制备方法,其特征在于,步骤S1中,所述喷砂采用粒径为100-180μm SiC砂,喷砂压力为0.1-0.2MPa,喷砂时间为10-20s。
3.根据权利要求1所述的CVD金刚石厚膜-陶瓷复合片钎焊刀具的制备方法,其特征在于,步骤S1中,所述超声波植晶的方法为:将表面喷砂粗化后的氮化硅陶瓷基体浸入金刚石微粉悬浊液中,超声波震荡植晶20-30min,然后用去离子水和丙酮依次进行超声清洗,所述金刚石微粉悬浊液由粒径为1-5μm的金刚石微粉和甲醇配制而成。
4.根据权利要求1所述的CVD金刚石厚膜-陶瓷复合片钎焊刀具的制备方法,其特征在于,步骤S3中,所述机械抛光的方法为:使用铸铁抛光盘,15μm金刚石微粉作为磨料,抛光后表面粗糙度低于50nm。
5.根据权利要求1所述的CVD金刚石厚膜-陶瓷复合片钎焊刀具的制备方法,其特征在于,步骤S5中,所述真空钎焊选用的焊料为银、铜、铟和钛组成的焊料。
6.一种CVD金刚石厚膜-陶瓷复合片钎焊刀具,其特征在于,采用权利要求1至5任一项所述的CVD金刚石厚膜-陶瓷复合片钎焊刀具的制备方法制备而成。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的