[发明专利]加热装置、加热方法以及基板处理装置在审
申请号: | 202010566187.7 | 申请日: | 2020-06-19 |
公开(公告)号: | CN112153771A | 公开(公告)日: | 2020-12-29 |
发明(设计)人: | 池田太郎;渡边直树;波多野达夫;山本伸彦;镰田英纪 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H05B6/64 | 分类号: | H05B6/64;H05B6/72 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加热 装置 方法 以及 处理 | ||
本发明提供一种加热装置、加热方法以及基板处理装置。对加热对象物进行加热的加热装置具备:加热构件,其包括电磁波吸收体,并且对加热对象物进行支承;电磁波照射部,其向加热构件的与支承加热对象物的面相反一侧的照射面照射电磁波;以及控制部。电磁波照射部具有:电磁波输出部,其输出电磁波;以及天线单元,其构成相控阵天线,天线单元具有多个天线模块,所述多个天线模块具有放射电磁波的天线以及调整从天线放射出的电磁波的相位的移相器,控制部控制多个天线模块的移相器,以使从多个天线放射出的电磁波的相位通过干涉而聚集于加热构件的任意的部分,并且控制部控制多个天线模块的移相器,以使电磁波的聚集部分在加热构件的照射面处扫描。
技术领域
本公开涉及一种加热装置、加热方法以及基板处理装置。
背景技术
在半导体器件的制造工序中,存在成膜处理、退火处理等对基板进行加热的工序。作为基板的加热装置,已知一种在工作台中埋设电阻加热器并通过电阻加热器的发热对工作台上的基板进行加热的加热装置(例如专利文献1)。另外,还已知一种通过灯对基板进行加热的加热装置(例如专利文献2)。
专利文献1:日本特开2007-2298号公报
专利文献2:日本特开平6-224135号公报
发明内容
本公开提供一种能够在短时间内使加热对象物升温和降温的紧凑且装置成本低的加热装置、加热方法以及基板处理装置。
本公开的一个方式所涉及的加热装置对加热对象物进行加热,所述加热装置具备:加热构件,其包括电磁波吸收体,并且对加热对象物进行支承;电磁波照射部,其向所述加热构件的与支承所述加热对象物的面相反一侧的照射面照射电磁波;以及控制部,其中,所述电磁波照射部具有:电磁波输出部,其输出电磁波;以及天线单元,其构成相控阵天线,其中,所述天线单元具有多个天线模块,所述多个天线模块具有放射电磁波的天线以及调整从所述天线放射出的电磁波的相位的移相器,所述控制部控制所述多个天线模块的所述移相器,以使从所述多个天线放射出的电磁波的相位通过干涉而聚集于所述加热构件的任意的部分,并且所述控制部控制所述多个天线模块的所述移相器,以使所述电磁波的聚集部分在所述加热构件的所述照射面处扫描。
根据本公开,提供一种能够在短时间内使加热对象物升温和降温的紧凑且装置成本低的加热装置、加热方法以及基板处理装置。
附图说明
图1是一个实施方式所涉及的加热装置的截面图。
图2是示意性地表示图1的加热装置中的天线模块的配置的截面图。
图3是表示图1的加热装置中的天线模块中使用的放大器部的结构的框图。
图4是表示将变形单极天线用作天线的例子的截面图。
图5是表示图1的加热装置中的电磁波输出部的结构的框图。
图6是表示通过电磁波的相位控制使电磁波聚集于加热构件的规定位置的状态的截面图。
图7是用于说明电磁波的聚集原理的示意图。
图8是将相位差δ(x)作为x的函数进行坐标显示的图。
图9是表示各天线的配置和基于天线的相位差的示意图。
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