[发明专利]一种半导体台面金属剥离方法有效
| 申请号： | 202010566213.6 | 申请日： | 2020-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN111710605B | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 王秋建;刘智;王颖 | 申请（专利权）人： | 扬州国宇电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L21/28;H01L21/027;G03F7/42;G03F7/16 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 潘云峰 |
| 地址： | 225000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 台面 金属 剥离 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体台面金属剥离方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1采用高黏度光刻胶对晶圆台面和外围涂胶，之后依次曝光、显影，保留外围的高黏度光刻胶；
S2加热烘烤经过S1步骤得到的晶圆，固化高黏度光刻胶；
S3采用低黏度负性光刻胶对经过S2步骤得到的晶圆台面和外围涂胶，之后依次曝光、显影、坚膜、蒸发金属和去胶，得到电极；
所述步骤S1中曝光、显影、去胶操作还保留台面划片道内高黏度光刻胶，所述高黏度光刻胶的黏度为1400-1600cP，所述低黏度负性光刻胶的黏度为200-300cP。
2.根据权利要求1所述的半导体台面金属剥离方法，其特征在于，所述高黏度光刻胶的台面涂胶厚度为1-3um，外围涂胶厚度为5-7um。
3.根据权利要求1所述的半导体台面金属剥离方法，其特征在于，所述低黏度负性光刻胶的台面涂胶厚度为1-3um，外围涂胶厚度为12-14um。
4.根据权利要求1所述的半导体台面金属剥离方法，其特征在于，所述高黏度光刻胶为正性光刻胶，所述步骤S1中曝光操作通过掩膜遮挡划片道实现划片道内高黏度光刻胶的保留。
5.根据权利要求1所述的半导体台面金属剥离方法，其特征在于，所述步骤S2中的加热烘烤温度为120-180℃，加热烘烤时间为20-40min。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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