[发明专利]基于迷宫型CsPbI2

权利要求书

1.一种基于迷宫型CsPbI₂Br无机钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在基底上旋涂CsPbI₂Br前驱体溶液，制备得到钙钛矿薄膜；

将所述钙钛矿薄膜放置在24-27℃的手套箱中静置15-30min；

然后在158-164℃下退火9～11min，得到迷宫型CsPbI₂Br钙钛矿薄膜。

2.根据权利要求1所述的基于迷宫型CsPbI₂Br无机钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述CsPbI₂Br前驱体溶液通过将PbI₂，PbBr₂，CsI溶解到有机溶剂中，加热搅拌至完全溶解制备而来。

3.根据权利要求2所述的基于迷宫型CsPbI₂Br无机钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述有机溶剂为N,N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、N,N-二甲基乙酰胺、四甲基亚砜中的任一种。

4.根据权利要求1所述的基于迷宫型CsPbI₂Br无机钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述手套箱的温度为25℃，静置时间为25min，退火温度为160℃，退火时间为10min。

5.一种太阳能电池，其特征在于，采用权利要求1-4中任意一项所述的制备方法制备得到的迷宫型CsPbI₂Br无机钙钛矿薄膜作为所述太阳能电池的吸光层薄膜。

6.一种叠层太阳能电池，其特征在于，包括从下至上依次设置的背接触层、底电池层、隧道结/复合层、顶电池层、透明电极层、玻璃层，所述顶电池层采用权利要求1-4中任意一项所述的制备方法制备得到的迷宫型CsPbI₂Br无机钙钛矿薄膜作为顶电池。