[发明专利]具有长岛状微结构的进阶反转电解铜箔及应用其的铜箔基板

说明书

本发明公开一种具有长岛状微结构的进阶反转电解铜箔及应用其的铜箔基板。进阶反转电解铜箔包括一微粗糙化处理面，微粗糙化处理面具有多个铜结晶、多个铜晶须以及多个铜结晶团，其呈非均匀性分布并构成一长岛状图案。因此，本发明的进阶反转电解铜箔与一树脂基复合材料之间具有良好的结合力，且能够提高信号完整性以及减少信号的传输损耗，满足5G应用的需求。

技术领域

本发明涉及一种电解铜箔，特别是涉及一种具有长岛状微结构的进阶反转电解铜箔，以及应用其的铜箔基板。

背景技术

随着信息和电子产业的发展，高频高速信号传输已成为现代电路设计和制造的一环。为了符合电子产品对于高频高速信号传输的需求，铜箔基板(copper clad laminates，CCL)需要防止高频信号在传递时产生过度的插入损耗(insertion loss)，以具有良好的信号完整性(signal integrity，SI)。其中，铜箔基板中的铜箔的插入损耗表现与其表面处理面的粗糙度具有高度关联，原因在于高频高速信号传输时将产生集肤效应(Skin effect)：导体内部的电流分布不均匀的一种现象。随着与导体表面的距离逐渐增加，导体内的电流密度呈指数递减，即导体内的电流会集中在导体的表面，因此导体表面处理面的表面积愈小愈有利于高频高速信号传输；然而，表面积愈大愈有利于剥离强度，这与信号完整性是相冲突的，进一步而言，在铜箔的表面形貌越平坦，其信号完整性越好，而铜箔的表面积愈大，其剥离强度越好。因此，本技术领域亟待研究出可以同时兼顾信号完整性以及剥离强度的铜箔基板。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种具有长岛状微结构的进阶反转电解铜箔，其可以应用于高频高速的5G领域，并且可以保持目标应用所需要的特性，例如保持电解铜箔的剥离强度(peel strength)。本发明还提供一种使用此进阶反转电解铜箔的铜箔基板，可作为高频高速基板。

为了解决上述的技术问题，本发明所采用的其中一技术方案是提供一种具有长岛状微结构的进阶反转电解铜箔，其包括一微粗糙化处理面。所述微粗糙化处理面具有多个呈非均匀性分布的铜结晶，其中不同数量的所述铜结晶堆叠在一起以形成各自的铜晶须，且不同数量的所述铜晶须团聚在一起以形成各自的铜结晶团。在扫描式电子显微镜以35度倾斜角与10,000倍放大倍率的观察下，所述微粗糙化处理面具有以下结构特征：(1)至少十个长为250nm且宽为250nm的第一平滑区域；(2)至少一个长为500nm且宽为500nm的第二平滑区域；(3)至少一个长为1,500nm以上的长岛状微结构，且所述长岛状微结构中有至少三个所述铜结晶及/或铜晶须；以及(4)至少两个长为1,000nm以上的线条状无铜区域。

为了解决上述的技术问题，本发明所采用的另外一技术方案是提供一种铜箔基板，其包括一基板以及一进阶反转电解铜箔，所述进阶反转电解铜箔设置于所述基板上，且具有一微粗糙化处理面接合于所述基板的一表面。所述微粗糙化处理面具有多个呈非均匀性分布的铜结晶，其中不同数量的所述铜结晶堆叠在一起以形成各自的铜晶须，且不同数量的所述铜晶须团聚在一起以形成各自的铜结晶团。在扫描式电子显微镜以35度倾斜角与10,000倍放大倍率的观察下，所述微粗糙化处理面具有以下结构特征：(1)至少十个长为250nm且宽为250nm的第一平滑区域；(2)至少一个长为500nm且宽为500nm的第二平滑区域；(3)至少一个长为1,500nm以上的长岛状微结构，且所述长岛状微结构中有至少三个所述铜结晶及/或铜晶须；以及(4)至少两个长为1,000nm以上的线条状无铜区域。

在本发明的一实施例中，所述第一平滑区域与所述第二平滑区域内都不存在所述铜结晶。

在本发明的一实施例中，每一个所述铜晶须具有一顶部铜结晶。

在本发明的一实施例中，多个所述顶部铜结晶呈锥状、棒状及/或球状。

在本发明的一实施例中，所述微粗糙化处理面的表面粗糙度(Rz jis94)小于2.1微米。