[发明专利]一种基于分时处理的Flash存储方法在审

专利信息
申请号: 202010567005.8 申请日: 2020-06-19
公开(公告)号: CN111782142A 公开(公告)日: 2020-10-16
发明(设计)人: 陈华沛;段建辉;戴景峰;秦明辉;鲍齐友;朱发宝;崔北京;殷兵 申请(专利权)人: 科大智能电气技术有限公司;科大智能科技股份有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115 代理人: 闫客;奚华保
地址: 230088 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 分时 处理 flash 存储 方法
【说明书】:

发明公开了一种基于分时处理的Flash存储方法,属于数据存储技术领域,包括:将Flash的存储操作状态流程划分三个状态即:空闲、数据载入、擦除。其中空闲状态时程序不做任何处理。数据载入状态包括地址判断、数据分段、擦除判断、发送擦除指令、数据写入等。擦除状态主要是循环判断当前Flash芯片擦除是否已完成。通过这种方法,可以有效地节约主程序的处理时间,保证主程序在处理其他任务功能的过程中,避免因Flash存储而占用较长的时间,从而保证整个系统能高效、快速的执行。

技术领域

本发明涉及数据存储技术领域,特别涉及一种基于分时处理的Flash存储方法。

背景技术

随着电子信息技术的发展,数据存储技术的应用已经非常广泛。对大容量数据存储一般都使用闪存(Flash)作为存储装置。Flash在写入数据时,要求目标地址空间里面数据全为0xFF。所以一般Flash的写数据操作前需要先读出目标地址空间内的数据,判断是否全为0xFF,进而决定是擦除还是写入操作。根据手册及大量的实验验证,一般Flash的擦除操作时间都比较长。以Nand Flash为例,128KB字节的块擦除一般需要2–10mS,NorFlash的擦除时间更长,块擦除操作时间可以达到50mS。对一些实时性要求很高的模块功能或算法,常规的Flash擦除存储操作将会严重影响主程序执行的效率。

发明内容

本发明的目的在于克服上述背景技术存在的缺陷,解决Flash擦除和数据写入占用程序执行时间较长的问题。

为实现以上目的,本发明采用一种基于分时处理的Flash存储方法,Flash芯片的存储程序的执行状态划分为空闲状态、数据载入状态和擦除状态,主程序通过Flash操作程序调用接口与Flash芯片连接,包括:

所述Flash芯片的存储程序接收所述主程序发送的调用指令及待载入数据;

所述存储程序根据其当前的执行状态进行相应操作,其中空间状态时不做任何操作处理,数据载入状态时根据待载入数据的大小和地址进行数据写入,擦除状态时循环判断Flash芯片擦除是否完成。

进一步地,在所述存储程序当前的执行状态为空闲状态时,所述存储程序根据其当前的执行状态进行相应操作包括:

判断是否有所述待载入数据的载入;

若是,将所述存储程序的执行状态置为数据载入状态;

若否,退出所述存储程序,返回所述主程序。

进一步地,在所述存储程序当前的执行状态为数据载入状态时,所述存储程序根据其当前的执行状态进行相应操作,包括:

a1)根据所述待载入数据的地址和数据长度,判断目标地址范围是否在Flash分配的有效区间内,若否则执行步骤a2),若是则执行步骤a3);

a2)退出当前操作程序,返回地址操作错误,并进入空闲状态;

a3)根据所述待载入数据的地址和数据长度,计算所需编程的页的数量、页编程地址、页的数据偏移量以及每次页编程可写入的数据长度;

a4)判断页编程地址的首地址是否为块的起始地址,若是则执行步骤a5),若否则执行步骤a6);

a5)计算该地址所在块编号,向所述Flash芯片发送块擦除指令,并将所述Flash芯片的存储程序置为擦除状态;

a6)根据页编程地址和页的数据偏移量,向所述Flash芯片的目标页写入数据,并计算剩余数据长度及下次目标页编程的地址;

a7)判断剩余数据长度是否为零,若是则执行步骤a8),若否则执行步骤a4);

a8)将所述Flash芯片的存储程序置为空闲状态后退出所述存储程序。

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