[发明专利]一种半导体产品的清洗工艺

说明书

本发明系提供一种半导体产品的清洗工艺，依次包括以下步骤：超声波清洗，向第一超声波清洗机中加入环保清洗剂和若干软质清洁颗粒，将半导体产品投入第一超声波清洗剂中清洗；超声波漂洗，向第二超声波清洗机中注入无水乙醇，将半导体产品投入第二超声波清洗机中漂洗；干燥，将半导体产品放入烘干机中烘干。本发明通过超声波清洗机以及特殊组合的清洗用料，能够有效将清洗工序缩短至三个，可有效降低清洗加工线所占用的空间，从而降低土地成本，还能够显著提高清洗加工效率；清洗工作进行时，超声波清洗机使环保清洗剂充分接触半导体产品，且超声波清洗机还促使软质清洁颗粒与半导体产品充分作用，从而进一步提高清洁效果。

技术领域

本发明涉及半导体清洗，具体公开了一种半导体产品的清洗工艺。

背景技术

半导体是指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，半导体产品是利用半导体材料制成的电子器件。

半导体产品在制作的过程中，需要进行诸如蚀刻、划片、裁切等加工，经过诸如上述的加工后，半导体产品的表面会残留有加工液、碎屑等污染物，如不对这些污染物进行清理，会降低半导体产品的性能。现有技术中，对半导体产品表面污染物进行清洗是通过手动清洗一、蒸浴一、蒸浴二、手动清洗二、手动漂洗一、手动漂洗二和烘烤共7个工序完成，清洗加工线长，占地空间大，土地成本高，且清洗效率低。

发明内容

基于此，有必要针对现有技术问题，提供一种半导体产品的清洗工艺，能够显著缩短加工线，降低土地成本，且能够整体的清洗效果好，清洗效率高。

为解决现有技术问题，本发明公开一种半导体产品的清洗工艺，依次包括以下步骤：

S1、超声波清洗，向第一超声波清洗机中加入环保清洗剂和若干软质清洁颗粒，将半导体产品投入第一超声波清洗剂中清洗16～22min，第一超声波清洗机的超声波频率为70～100Hz，清洗温度为40～50℃；

S2、超声波漂洗，向第二超声波清洗机中注入无水乙醇，将步骤S1所获的半导体产品投入第二超声波清洗机中漂洗8～15min，第一超声波清洗机的超声波频率为70～90Hz，漂洗温度为35～45℃；

S3、干燥，将步骤S2中所获的半导体产品放入烘干机中烘干20～30min，烘干温度为60～80℃。

进一步的，步骤S1中，环保清洁剂按体积份数包括一下组份：2份异丙醇、1份壬基酚聚乙烯醚、1份三氯乙烯、3份四氧乙烯、1份二氯甲烷、1份正溴丙烷和5份去离子水。

进一步的，步骤S1中，软质清洁颗粒占环保清洗剂的体积百分比为20～30％。

进一步的，步骤S1中，软质清洁颗粒的直径为100～150μm。

进一步的，步骤S1中，软质清洁颗粒为聚乙烯醇颗粒。

进一步的，步骤S1中，软质清洁颗粒上设有若干吸附孔。

进一步的，步骤S3中，烘干机内形成有用于烘干的清洁热风。

进一步的，步骤S3中，清洁热风是氮气形成的压力值为1.1～1.3Mpa的气流。

进一步的，步骤S1中，第一超声波清洗机的超声波频率为80Hz，清洗时间为20min；步骤S2中，第二超声波清洗机的超声波频率为80Hz，漂洗时间为10min；步骤S3中，烘干时间为30min。

本发明的有益效果为：本发明公开一种半导体产品的清洗工艺，通过超声波清洗机以及特殊组合的清洗用料，能够有效将清洗工序缩短至三个，可有效降低清洗加工线所占用的空间，从而降低土地成本，还能够显著提高清洗加工效率；清洗工作进行时，超声波清洗机使环保清洗剂充分接触半导体产品，有效确保清洗效果，且超声波清洗机还促使软质清洁颗粒与半导体产品充分作用，从而令半导体产品表面的顽固污染物脱落，进一步提高清洁效果。