[发明专利]具有多个电流局限层的垂直共振腔表面放射激光二极管（VCSEL）

权利要求书

1.一种垂直共振腔表面放射激光二极管，其特征在于，包含：

多层结构，位于一基板之上，该多层结构包含：

主动区，包含第一主动层及第二主动层；

第一电流局限层，位于该主动区之外，该第一电流局限层至少具有第一通孔，该第一通孔是该第一电流局限层的未绝缘部分；

第二电流局限层，位于该主动区之内且介于该第一主动层与该第二主动层之间，该第二电流局限层至少具有第二通孔，且该第二通孔是该第二电流局限层的未绝缘部分；以及

穿隧接面层，位于该第一主动层与该第二主动层之间，是介于该第一通孔与该二通孔之间，供载子再利用与串联该第一主动层与该第二主动层，

其中，该第一通孔的通孔面积不相等于该第二通孔的通孔面积，该第一通孔与该第二通孔两者间的较小通孔面积为通孔面积比值X的分子，而较大通孔面积为分母时，该通孔面积比值X为0.5≦X＜1。

2.如权利要求1所述的垂直共振腔表面放射激光二极管，其特征在于，该两电流局限层的绝缘处理是通过氧化处理、离子布植处理或蚀刻处理而形成。

3.如权利要求1所述的垂直共振腔表面放射激光二极管，其特征在于，该第一电流局限层及/或该第二电流局限层选自由AlGaAs、AlGaAsP、AlAs、AlAsP、AlAsSb及AlAsBi所组成的群组。

4.如权利要求1所述的垂直共振腔表面放射激光二极管，其特征在于，该通孔面积比值X为0.54≦X＜1。

5.如权利要求1所述的垂直共振腔表面放射激光二极管，其特征在于，该通孔面积比值X为0.6≦X＜1。

6.如权利要求1所述的垂直共振腔表面放射激光二极管，其特征在于，该第一通孔与该第二通孔两者的通孔面积不小于30微米平方。

7.如权利要求1所述的垂直共振腔表面放射激光二极管，其特征在于，该第一通孔与该第二通孔两者的通孔面积不小于40微米平方。

8.如权利要求1所述的垂直共振腔表面放射激光二极管，其特征在于，该第一通孔与该第二通孔两者的通孔面积不小于50微米平方。

9.如权利要求1所述的垂直共振腔表面放射激光二极管，其特征在于，该垂直共振腔表面放射激光二极管为正面出光型垂直共振腔表面放射激光二极管或背面出光型垂直共振腔表面放射激光二极管。

10.一种垂直共振腔表面放射激光二极管，其特征在于，包括：

多层结构，位于基板之上，包含：

主动区，包含第一主动层、第二主动层及第三主动层，其中该第二主动层与该第三主动层位于该第一主动层的上下两侧；

第一电流局限层，位于该主动区之外，该第一电流局限层至少具有第一通孔，该第一通孔是该第一电流局限层的未绝缘部分；

第二电流局限层，位于该主动区中，且位于该第一主动层与该第二主动层之间，该第二电流局限层至少具有第二通孔，该第二通孔是该第二电流局限层的未绝缘部分；

第三电流局限层，至少具有第三通孔，该第三通孔是该第三电流局限层的未绝缘部分；

第一穿隧接面层，位于该第一主动层与该第二主动层之间，且介于该第一通孔与该二通孔之间，供载子再利用与串联该第一主动层与该第二主动层；以及

第二穿隧接面层，位于该第一主动层与该第三主动层之间，且介于该第二通孔与该第三通孔之间，供载子再利用与串联该第一主动层与该第三主动层，

其中，该第一通孔、该第二通孔与该第三通孔三者的其中两者间的通孔面积为不相等，该第一通孔、该第二通孔与该第三通孔三者的其中两者间的较小通孔面积为通孔面积比值X的分子，而较大通孔面积为分母时，该通孔面积比值X为0.5≦X＜1。

11.如权利要求10所述的垂直共振腔表面放射激光二极管，其特征在于，所述电流局限层的设置数目为三、四或五以上。